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Collectief geheugen
Cultureel geheugen
Dynamisch RAM
Dynamisch RAM-geheugen
Essentiële olie
Geheugen
Gemeenschappelijk geheugen
Historisch geheugen
Nationaal geheugen
Niet-vluchtig geheugen
Nonvolatile geheugen
Publiek geheugen
Sociaal geheugen
Totaal gehalte aan vluchtige organische stoffen
Vluchtig geheugen
Vluchtig vloeistof
Vluchtige olie
Vluchtige organische stof

Traduction de «vluchtig geheugen » (Néerlandais → Allemand) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
niet-vluchtig geheugen | nonvolatile geheugen

leistungsunabhängiger Speicher | nicht flüchtiger Speicher


niet-vluchtig geheugen

nichtflüchtiger Speicher | permanenter Speicher




collectief geheugen [ cultureel geheugen | gemeenschappelijk geheugen | historisch geheugen | nationaal geheugen | publiek geheugen | sociaal geheugen ]

kollektives Gedächtnis [ gemeinsames Gedächtnis | historisches Gedächtnis | kulturelles Gedächtnis | nationales Gedächtnis | öffentliches Gedächtnis | soziales Gedächtnis ]


totaal gehalte aan vluchtige organische stoffen

Summenkonzentration der flüchtigen organischen Verbindungen




vluchtige organische stof

flüchtiger organischer Stoff


Dynamisch RAM | Dynamisch RAM-geheugen

DRAM | Dynamischer Schreib-Lese-Speicher | Dynamisches RAM




TRADUCTIONS EN CONTEXTE
3.6.6. Alle telfuncties worden alleen terug op 0 gezet bij een niet-vluchtige geheugenreset (bv. een herprogrammering) of, als de getallen in een „keep alive”-geheugen (KAM) worden opgeslagen, wanneer het KAM verloren gaat door een onderbreking van de stroomtoevoer naar de controlemodule (bv. afkoppeling van de batterij).

3.6.6. Alle Zählfunktionen dürfen nur dann auf Null gesetzt werden, wenn es zum Rücksetzen eines nichtflüchtigen (energieunabhängigen) Speichers (z. B. durch eine Neuprogrammierung usw.) kommt, oder wenn die Zahlenwerte in einem batteriebetriebenen Diagnosespeicher (KAM: Keepalive-Memory) gespeichert werden und dieser Speicher aufgrund einer Unterbrechung der Stromzufuhr am Steuermodul (z. B. durch Abklemmen der Batterie usw.) gelöscht wird.


8523 | Platen, banden, niet-vluchtige geheugens op basis van halfgeleiders, "intelligente kaarten" en andere dragers voor het opnemen van geluid of voor dergelijke doeleinden,waarop al dan niet is opgenomen, galvanische vormen en matrijzen voor het maken van platen daaronder begrepen, andere dan de goederen bedoeld bij hoofdstuk 37 | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet hoger is dan 50 % van de prijs af fabriek van het product. | |

8523 | Platten, Bänder, nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen, "intelligente Karten (smart cards)" und andere Tonträger oder ähnliche Aufzeichnungsträger, mit oder ohne Aufzeichnung, einschließlich der zur Plattenherstellung dienenden Matrizen und Galvanos, ausgenommen Waren des Kapitels 37 | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 50 v. H. des Ab-Werk-Preises des Erzeugnisses nicht überschreitet | |


8523 | – niet-opgenomen grammofoonplaten, banden en niet-vluchtige geheugens op basis van halfgeleiders en andere dragers voor het opnemen van geluid en voor dergelijke doeleinden, galvanische vormen en matrijzen voor het maken van platen daaronder begrepen, andere dan de goederen van hoofdstuk 37 | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product | |

8523 | – Platten, Bänder, nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen und andere Tonträger oder ähnliche Aufzeichnungsträger, ohne Aufzeichnung, einschließlich der zur Plattenherstellung dienenden Matrizen und Galvanos, ausgenommen Waren des Kapitels 37 | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 40 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet | |


– niet-opgenomen grammofoonplaten, banden en niet-vluchtige geheugens op basis van halfgeleiders en andere dragers voor het opnemen van geluid en voor dergelijke doeleinden, galvanische vormen en matrijzen voor het maken van platen daaronder begrepen, andere dan de goederen van hoofdstuk 37; | Vervaardiging waarbij: de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product, enbinnen de hierboven gestelde beperking, de waarde van alle gebruikte materialen van post 8523 niet meer bedraagt 10 % van de prijs af fabriek van het product | Vervaardiging waarbij de waarde va ...[+++]

– Platten, Bänder, nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen und andere Tonträger oder ähnliche Aufzeichnungsträger, mit Aufzeichnung, einschließlich der zur Plattenherstellung dienenden Matrizen und Galvanos, ausgenommen Waren des Kapitels 37 | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 40 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet undinnerhalb der obenstehenden Begrenzung der Wert aller verwendeten Vormaterialien der Position 8523 10 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 30 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht übers ...[+++]


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3.6.6. Alle telfuncties worden alleen terug op 0 gezet bij een niet-vluchtige geheugenreset (bv. een herprogrammering) of, als de getallen in een „keep alive”-geheugen (KAM) worden opgeslagen, wanneer het KAM verloren gaat door een onderbreking van de stroomtoevoer naar de controlemodule (bv. afkoppeling van de batterij).

3.6.6. Alle Zählfunktionen dürfen nur dann auf Null gesetzt werden, wenn es zum Rücksetzen eines nichtflüchtigen (energieunabhängigen) Speichers (z. B. durch eine Neuprogrammierung usw.) kommt, oder wenn die Zahlenwerte in einem batteriebetriebenen Diagnosespeicher (KAM: Keepalive-Memory) gespeichert werden und dieser Speicher aufgrund einer Unterbrechung der Stromzufuhr am Steuermodul (z. B. durch Abklemmen der Batterie usw.) gelöscht wird.


Een EPROM (elektrisch programmeerbaar read only geheugen) is een niet-vluchtig geheugen in de vorm van een halfgeleiderelement, dat elektrisch programmeerbaar is, maar gewist moet worden met ultraviolet licht. Een flash-geheugen is een niet-vluchtig geheugen in de vorm van een halfgeleiderelement dat zowel elektrisch geprogrammeerd als elektrisch gewist kan worden, waardoor het wissen sneller gaat dan bij een EPROM. Zoals boven vermeld worden de produkten van de joint venture geproduceerd met behulp van een nieuwe generatie produkttechnologie, de 0,5 micron (of minder) -technologie.

Diese Mikrochips werden in Bauelementen zur Verwendung in elektronischen Geräten oder Speicherkarten zusammengefaßt. Ein EPROM ist ein nichtflüchtiger, elektrisch programmierbarer Halbleiterspeicher, dessen Inhalt durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht gelöscht werden kann. Ein Flash- Speicher ist ebenfalls ein nichtflüchtiger Halbleiterspeicher, der aber sowohl elektrisch programmiert als auch elektrisch gelöscht werden kann und dabei eine schnellere Löschung als ein EPROM ermöglicht.


De aangemelde concentratie bestaat uit een overeenkomst inzake de oprichting van een joint venture onder de naam Fujitsu AMD Semiconductor voor de produktie van "wafels" van bepaalde typen niet-vluchtige geheugens (NVM's), te weten EPROM's (elektrisch programmeerbare read only geheugens) en flash-geheugens met een geometrie van 0,5 micron en minder.

Das angemeldete Vorhaben umfaßt eine Vereinbarung zur Gründung des Gemeinschaftsunternehmens Fujitsu AMD Semiconductor, das Halbleiterscheiben für bestimmte Arten von nichtflüchtigen, elektrisch änderbaren Festwertspeichern (EPROMs) und Flash-Speicher mit Geometrien von 0,5 Mikrometern und darunter herstellen soll.




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'vluchtig geheugen' ->

Date index: 2022-12-12
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