Traduction de «DRAM memory » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

dynamic RAM [ DRAM | DRAM memory | dynamic random-access memory | dynamic-RAM | D-RAM ]
mémoire vive dynamique [ DRAM | RAM dynamique | mémoire RAM dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | mémoire DRAM | mémoire D-RAM ]

fast page mode DRAM | FPM DRAM | page mode DRAM | fast page mode RAM | FPM RAM | fast page mode memory | FPM memory | page mode memory
mémoire dynamique en mode page rapide | mémoire DRAM en mode page rapide | mémoire RAM en mode page rapide | mémoire FPM

extended data out random access memory | EDO RAM | extended data out RAM | extended data output random access memory | extended data out dynamic random access memory | extended data out DRAM | EDO DRAM | extended data output RAM | EDO memory
mémoire vive à sortie de données étendue | mémoire vive à chevauchement | mémoire vive EDO | mémoire EDO

Rambus dynamic random access memory | RDRAM | R-DRAM | Rambus dynamic RAM | Rambus DRAM
mémoire vive dynamique Rambus | mémoire dynamique Rambus | mémoire vive Rambus | mémoire RDRAM | mémoire Rambus

synchronous dynamic random access memory [ SDRAM | synchronous DRAM | SDRAM memory | synchronous dynamic RAM ]
DRAM synchrone [ SDRAM | mémoire SDRAM ]

dynamic RAM | dynamic random access memory | DRAM [Abbr.]
mémoire RAM dynamique | mémoire vive dynamique | MEVD [Abbr.]

dynamic random access memory | DRAM [Abbr.]
mémoire dynamique | mémoire vive dynamique | DRAM [Abbr.]

dynamic Ram | dynamic random-access memory | dynamic storage | DRAM [Abbr.] | D-RAM [Abbr.]
mémoire dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | Mémoire électronique dynamique | Dram [Abbr.]

Rambus Dynamic Random Access Memory [ RDRAM | Rambus DRAM ]
RAM dynamique en bus [ RDRAM | DRAM Rambus ]

dynamic random-access memory | dynamic RAM [ DRAM ]
mémoire vive dynamique

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

It involved a network of contacts and sharing of secret information, mostly on a bilateral basis, through which they coordinated the price levels and quotations for DRAMs (Dynamic Random Access Memory), sold to major PC or server original equipment manufacturers (OEMs) in the EEA. DRAMs is a common model for "dynamic" semiconductor memories for personal computers (PCs), servers and workstations.
Elle faisait intervenir un réseau de correspondants et impliquait le partage d’informations confidentielles, essentiellement sur une base bilatérale, permettant ainsi aux producteurs de coordonner les prix des DRAM (Dynamic Random Access Memory), un modèle commun de mémoire dynamique à semi-conducteur destiné aux ordinateurs personnels (PC), aux serveurs et aux postes de travail vendus aux principaux fabricants d’équipements d’origine pour PC et serveurs dans l’EEE.

Multi-combinational forms of DRAMs (memory modules, memory boards or other aggregate forms) falling within CN codes ex 8473 30 10 (Taric code 8473301010), ex 8473 50 10 (Taric code 8473501010) and ex 8548 90 10 (Taric code 8548901010),
DRAM sous formes multicombinatoires (modules et cartes de mémoire ou autres formes assemblées) relevant des codes NC ex 8473 30 10 (code TARIC 8473301010), ex 8473 50 10 (code TARIC 8473501010) et ex 8548 90 10 (code TARIC 8548901010),

The product concerned also includes DRAMs presented in (non-customised) memory modules or (non-customised) memory boards, or in some other kind of aggregate form, provided the main purpose of which is to provide memory (7).
Sont également concernés les DRAM présentés dans des modules ou cartes de mémoire (standard) ou autrement assemblés, pour autant que leur principale fonction soit de fournir de la mémoire (7).

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.
Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

The project comprises the construction of production facilities for DRAMs (dynamic random access memory) with a line width of 0,14 µm or below based on 300 mm wafers. It will be the worldwide first production line for DRAMs on 300 mm wafers. Germany stresses that Infineon is the only European producer of DRAMs.
Ce projet porte sur la construction d'une installation de production de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire) d'une largeur de canal de maximum 0,14 µm basé sur plaques de 300 mm. Il s'agira de la première chaîne de production de DRAM sur plaques de 300 mm. L'Allemagne souligne qu'Infineon est le seul producteur européen de DRAM.

The strategic imperative driving their joint venture, to be called NEC-Hitachi Memory Inc, is the design and development of next generation DRAMs used as the memory of computing devices.
La création de cette entreprise commune, qui portera le nom de NEC-Hitachi Memory Inc, répond à la nécessité stratégique de concevoir et de développer la nouvelle génération de DRAM, qui constituent la mémoire des systèmes informatiques.

2. The Product The products under investigation are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) whether assembled, in processed wafer or die form of all MOS technologies and all densities irrespective of technical properties.
2. Produit Les produits faisant l'objet de l'enquête sont certains types de microstructures électroniques dites "DRAM" (dynamic random access memories), qu'ils soient assemblés sous la forme de disques ou de microplaquettes traités, et faisant appel à toutes les technologies de fabrication MOS et de toutes densités quelles que soient leurs caractéristiques techniques.

DRAMs represent the major part of the market for memory ICs amounting to around $ 1 billion in 1990 and 1991 and to $ 1.3 billion in 1992 in the Community (Total market for memory IC's around $ 1.85 billion in 1990 and 1991 and $ 2.5 billion in 1992).
Les DRAM représentent la majeure partie du marché des CI de mémoire, représentant environ 1 milliard de dollars en 1990 et 1991 et 1,3 milliard de dollars en 1992 dans la Communauté (le marché total des CI de mémoire représentait environ 1,85 milliard de dollars en 1990 et 1991 et 2,5 milliards de dollars en 1992).

- State aid no N 138/94 - Micro-electronic sector - SIEMENS AG - Saxony - Germany (Dresden) - Approval The Commission has decided to authorize, under Article 92(3) c) of the EC Treaty, an ad hoc subsidy of 450 mio DM (231 MECU) payable in five annual instalments over the period 1995-1999 that the Government of Saxony intends to grant to SIEMENS AG for the setting-up in Dresden of a new R+D and production plant of Dynamic Random Access Memories ("DRAMs").
- Aide d'État n° N 138/94 - Secteur de la microélectronique - SIEMENS AG - Saxe, Allemagne (Dresde) - Approbation La Commission a décidé d'autoriser, en application de l'article 92 paragraphe 3 c) du Traité CE, une subvention ad hoc de 450 millions de DM (231 millions d'écus) payable en cinq versements annuels au cours de la période de 1995 à 1999 que les autorités de la Saxe se proposent d'accorder à SIEMENS AG pour la création à Dresde d'un nouveau centre de RD et de production de mémoires vives (RAM) dynamiques.