Vertaling van "EUV " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

EUV lithography | extreme-ultra-violet lithography
lithographie EUV

extreme-ultraviolet radiation | EUV radiation | extreme ultraviolet | EUV | extreme UV
rayonnement ultraviolet extrême | ultraviolet extrême | UV extrême | rayons ultraviolets extrêmes | ultraviolets extrêmes

auto-calibrating extreme ultraviolet and ultraviolet spectrometer [ SOL-ACES | solar auto-calibrating extreme UV/UV spectrophotometer | solar auto-calibrating EUV/UV spectrophotometer | auto-calibrating EUV/UV spectrometer ]
spectromètre d'auto-étalonnage dans l'ultraviolet et l'ultraviolet extrême [ SOL-ACES | spectrophotomètre solaire d'auto-étalonnage EUV/UV | spectromètre SOL-ACES | spectrophotomètre SOL-ACES ]

extreme ultraviolet lithography | extreme UV lithography | EUV lithography | soft X-ray lithography
lithographie par ultraviolets extrêmes | lithographie aux ultraviolets extrêmes | lithographie ultraviolet extrême | lithographie UV extrême | lithographie EUV | lithographie par rayons X mous

extreme ultraviolet | EUV [Abbr.]
ultra-violet extrême | EUV [Abbr.]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

EUV lithography is characterised by a high scientific and technical risk.
La lithographie EUV se caractérise par un risque scientifique et technique élevé.

This kind of lithography is considered as an important intermediate technology between the current 193 nanometre technology, which will end in four to six years from now, and future EUV technologies, starting after 2010.
Ce type de lithographie est considéré comme une technique intermédiaire importante entre la technique actuelle des 193 nanomètres, qui sera abandonnée dans un délai de quatre à six ans, et les techniques EUV futures, qui commenceront à être employées après 2010.

The purpose of the aid is to promote the German participation to a joint Eureka project aiming at the development of EUV lithography technologies in Europe, that could strengthen the position of the European semiconductor industry suppliers through the development of know-how and intellectual property.
Cette aide a pour objet d'encourager la participation de l'Allemagne à un projet Eureka commun visant à développer la lithographie EUV en Europe, qui pourrait renforcer la position des fournisseurs européens sur le marché des semi-conducteurs en leur permettant d'acquérir un savoir-faire et des droits de propriété intellectuelle.

The European Commission decided to raise no objections on a grant of DEM 120 million (€ 60 million) for a German five year co-operative research project on extreme ultraviolet lithography (EUV).
La Commission a décidé de ne pas s'opposer à l'octroi d'une subvention de 120 millions de DEM (soit 60 millions d'euros) en faveur d'un projet allemand de recherche conjointe d'une durée de cinq ans portant sur la lithographie extrême ultraviolet (EUV).

With the constant diminution in the semiconductor structure size, it is well established that within 10-11 years, the wave length of the light required in the lithography process will go past the ultra-violet spectrum into the Extreme-Ultra-Violet (EUV) or soft X-ray zone.
Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous.