Vertaling van "Low Oxidation Metal Ions process " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

LOMI process | Low Oxidation Metal Ions process
procédé LOMI

metal-oxide-semiconductor process | MOS process
procédé métal-oxyde-semiconducteur

support metal oxide process
procédé à oxydes métalliques fixés

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Because they form chemical complexes with metals ions, diphosphates (E 450), triphosphates (E 451) and polyphosphates (E 452) have been proven to be most effective to protect the salted fish against oxidation.
Il a été prouvé que les diphosphates (E 450), les triphosphates (E 451) et les polyphosphates (E 452) constituent un moyen hautement efficace de protéger le poisson salé de l’oxydation, parce qu’ils forment des complexes chimiques avec les ions métalliques.

This will lead to a change in colour and flavour. The oxidation is accelerated by the metal ions present in the fish muscle and used salt.
L’oxydation est accélérée par la présence d’ions métalliques dans le muscle du poisson et dans le sel utilisé.

Li-ion batteries are currently more expensive than NiCd batteries, they do not work as well at very low temperatures, and currently there are not enough economic incentives to develop large-scale recycling structures for them: raw materials are relatively cheap and available and the quantities of waste Li-ion batteries are not great enough to justify large-scale recycling processes to be put in place.
Les piles Li-ion sont actuellement plus onéreuses que les piles NiCd, elles ne fonctionnent pas aussi bien à des températures très basses, et il n'existe pas suffisamment d'incitations économiques pour développer des structures à grande échelle pour leur recyclage: les matières premières sont relativement bon marché et disponibles et les quantités de déchets de piles Li-ion ne sont pas suffisantes pour justifier la mise en place de processus de recyclage à grande échelle.

However, it is the production of hot metal in the blast furnace that mainly causes emissions while the process of refining the hot metal to steel in the BOF converter is relatively low in emissions.
Cependant, c’est la production de fonte liquide dans le haut-fourneau qui est essentiellement responsable des émissions, tandis que l’affinage de la fonte en acier dans le convertisseur à l’oxygène entraîne relativement peu d’émissions.

The reaction process is further strengthened by factors such as acidity, temperature, light and the presence of certain metal ions.
Le processus de réaction est encore renforcé par des facteurs tels que le degré d'acidité, la température, la lumière et la présence de certains ions métalliques.

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).