Traduction de «Mask programmable read-only memory » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

mask-programmable read-only memory | mask-programmable ROM
mémoire morte programmable par masque | ROM programmable par masque

mask programmable read-only memory | MPROM | mask PROM
mémoire morte programmée par masquage

mask-programmable read-only memory [ MROM | mask-programmable ROM | mask read-only memory | mask ROM ]
mémoire morte programmable par masque

programmable read only memory | programmable, non erasable, read only memory | PROM [Abbr.]
mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable | mémoire morte programmable | mémoire programmable une seule fois par l'utilisateur | PROM [Abbr.]

mask-programmable read-only memory | mask-programmable ROM
mémoire morte programmable par masque

erasable programmable ROM | erasable, programmable, read only memory | EPROM [Abbr.]
mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable | mémoire morte reprogrammable

contact-mask read-only memory [ last-mask read-only memory ]
mémoire fixe à masque de contact

electrically erasable programmable read-only memory [ EEPROM,E2PROM | electrically-erasable programmable read-only memory | electronically erasable PROM ]
mémoire morte programmable effaçable électriquement [ EEPROM | mémoire en lecture seule effaçable électriquement | mémoire EEPROM | mémoire morte reprogrammable et effaçable électriquement ]

read-only memory | ROM | ROM memory | read-only storage | read-only store
mémoire morte | MEM | mémoire ROM | ROM | mémoire à lecture seule

compact disk read-only memory [ CD-ROM ]
cédérom

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

2.3.5. Manufacturers using programmable computer code systems (e.g. electrical erasable programmable read-only memory, EEPROM) shall deter unauthorised reprogramming.
2.3.5. Les constructeurs qui utilisent des ordinateurs à codes informatiques programmables [par exemple du type EEPROM (mémoire morte programmable effaçable électroniquement)] doivent empêcher toute reprogrammation illicite.

'Technical data' may take forms such as blueprints, plans, diagrams, models, formulae, tables, engineering designs and specifications, manuals and instructions written or recorded on other media or devices such as disk, tape, read-only memories.
Exploitation, installation (y compris l’installation in situ), entretien (vérification), réparation, révision et rénovation.

‘Technical data’ may take forms such as blueprints, plans, diagrams, models, formulae, tables, engineering designs and specifications, manuals and instructions written or recorded on other media or devices such as disk, tape, read-only memories.
‘Assistance technique’: assistance pouvant revêtir des formes telles que instructions, procédés pratiques, formation, connaissances appliquées, services de consultants; peut impliquer le transfert de ‘documentation technique’.

2". Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
2". microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

For ease of reading, the Programme only attributes the Commission the right of initiative. This is without prejudice to the possibility that Member States take initiatives in accordance with Article 76 TFEU.
Pour des raisons de facilité de lecture, le programme attribue seulement à la Commission le droit d'initiative, ce qui est sans préjudice de la possibilité pour les États membres de prendre des initiatives conformément à l'article 76 du TFUE.

Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

Manufacturers using programmable computer code systems (e.g. electrical erasable programmable read-only memory, EEPROM) must deter unauthorised reprogramming.
Les constructeurs qui utilisent des ordinateurs à codes informatiques programmables, (par exemple du type EEPROM (mémoire morte programmable effaçable électriquement) doivent empêcher toute reprogrammation illicite.

Manufacturers using programmable computer code systems (e. g. Electrical Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM) must deter unauthorized reprogramming.
Les constructeurs qui utilisent des ordinateurs à codes informatiques programmables, [par exemple du type EEPROM (mémoire morte programmable effaçable électriquement)] doivent empêcher toute reprogrammation illicite.

If EN 50242: 1998 is used, the following modifications shall apply: the tests shall be carried out at 55 °C ± 2 °C with cold pre-wash without detergent; the machine used in the test shall be connected to cold water and must hold 12 place settings with a washing index of between 3,35 and 3,75; the machine's drying programme shall be used, but only the cleanliness of the dishes shall be assessed; a weak acidic rinsing agent in accordance with the standard (formula III) shall be used; the rinsing agent setting shall be between 2 and 3; the dosage of dishwashing detergent shall be as recommended by the manufacturer; three attempts shall be carried out at a water hardness in accordance with the standard; an attempt consists of five washes where the result is read after the fifth wash without the dishes being cleaned between the washes; the result shall be better than or identical to the reference detergent after the fifth wash; recipe for the reference detergent (Detergent B IEC 436) and rinsing agent (formula III), see Appendix B in the standard EN 50242: 1998 (the tensides are to be stored in a cool place in watertight containers not exceeding 1 kg and are to be used within three months).
Si la méthode d'essai prévue par la norme 50242:1998 est utilisée, les modifications suivantes doivent y être apportées: les essais sont effectués à 55 °C ± 2 °C, avec un prélavage à froid sans détergent; la machine utilisée pour les essais doit être raccordée à l'eau froide et doit contenir 12 couverts avec un indice de performance de lavage compris entre 3,35 et 3,75; le programme de séchage de la machine est utilisé, mais seule la propreté de la vaisselle est évaluée; un agent de rinçage faiblement acide, conforme à la norme (formule III), est utilisé; le doseur de l'agent de rinçage doit être réglé entre 2 et 3; la dose de détergent pour lave-vaisselle est celle recommandée par le fabricant; trois essais sont effectués avec une eau d'une dureté conforme à la norme; un essai se compose de cinq cycles de lavage; le résultat est constaté après le cinquième cycle de lavage sans que la vaisselle soit essuyée entre les cycles; le résultat doit être meilleur ou identique à celui du détergent de référence après le cinquième cycle de lavage; les formules du détergent de référence (détergent B IEC 436) et de l'agent de rinçage (formule III) figurent à l'appendice B de la norme EN 50242:1998 (les agents tensioactifs doivent être stockés dans un endroit frais, dans des conteneurs étanches de 1 kg au maximum, et doivent être utilisés dans les trois mois).