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3-5 compound semiconductor
CD Photo
Compact Disc Photo
III-V semiconductor
LAS
LASCR
Light-activated SCR
Light-activated semiconductor-controlled rectifier
Photo CD
Photo Compact Disc
Photo Compact Disk
Photo call
Photo op
Photo opportunity
Photo semiconductor
Photo session
Photo shoot
Photo-SCR
Photo-finish
Photo-finish photograph
Photo-semiconductor
Photo-semiconductor-controlled rectifier
Semiconductor photo device
Three-five compound semiconductor
Three-five semiconductor
TopoA
Topographies Act

Traduction de «Photo semiconductor » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
photo semiconductor

élément semi-conducteur photo-électrique


photo semiconductor

élément semi-conducteur photo-électrique


light-activated SCR | light-activated semiconductor-controlled rectifier | photo-SCR | photo-semiconductor-controlled rectifier | LAS [Abbr.] | LASCR [Abbr.]

redresseur contrôlé au silicium déclenché par la lumière




semiconductor photo device

dispositif photo à semiconducteurs


3-5 compound semiconductor | III-V semiconductor | three-five compound semiconductor | three-five semiconductor

semiconducteur composé des groupes trois et cinq


photo session | photo shoot | photo call | photo opportunity | photo op

séance de photographie | séance de photographies | séance de photos | séance de photo | séance photos | séance photo


Photo Compact Disk | Photo Compact Disc | Photo CD | CD Photo | Compact Disc Photo

CD photo | CD-Photo | disque compact photo | Photo-CD


photo-finish | photo-finish photograph

photo d'arrivée


Federal Act of 9 October 1992 on the Protection of Topographies of Semiconductor Products | Topographies Act [ TopoA ]

Loi fédérale du 9 octobre 1992 sur la protection des topographies de produits semi-conducteurs | Loi sur les topographies [ LTo ]
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
in photo-lithography processes for semiconductors or in etching processes for compound semiconductors.

dans les procédés photolithographiques pour la fabrication de semi-conducteurs ou dans les procédés de gravure de semi-conducteurs composés.


The Combined Nomenclature in Annex I to Council Regulation (EEC) No 2658/87 of 23 July 1987 on the tariff and statistical nomenclature and on the Common Customs Tariff, as amended by Commission Regulation (EC) No 1832/2002 of 1 August 2002 must be interpreted as meaning that modules, each consisting of the interconnection of a light emitting diode, a photo-diode and a number of other semiconductor devices, and which may be used as infrared transmitters/receivers where their electricity supply derives from the devices in which they are incorporated, come under CN heading 8543 of that nomenclature;

La nomenclature combinée figurant à l’annexe I du règlement (CEE) no 2658/87 du Conseil, du 23 juillet 1987, relatif à la nomenclature tarifaire et statistique et au tarif douanier commun, tel que modifié par le règlement (CE) no 1832/2002 de la Commission, du 1er août 2002, doit être interprétée en ce sens que des modules constitués, chacun, de l’interconnexion d’une diode émettrice de lumière, d’une photodiode et de plusieurs autres dispositifs à semi-conducteur et pouvant être utilisés comme émetteurs/récepteurs à infrarouge lorsqu’ils bénéficient de l’alimentation électri ...[+++]




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'Photo semiconductor' ->

Date index: 2021-10-08
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