Traduction de «RF transistor » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

bipolar RF transistor | RF transistor
transistor HF

RF amplifier transistor
transistor amplificateur HF

carbon nanotube transistor | CNT transistor | nanotube transistor | carbon nanotube-based transistor | nanotube-based transistor | carbon nanotube field-effect transistor | CNTFET | CNFET
transistor à nanotubes de carbone | transistor à nanotubes | transistor à base de nanotubes de carbone | transistor à base de nanotubes | transistor à effet de champ à nanotubes de carbone | transistor à effet de champ à nanotubes

kidney abscess; ; RF ICD-9-CM Index to Diseases, in: Medical terminology codes,1995,CDC | perinephric abscess; ; RF ICD-9-CM Index to Diseases, in: Medical terminology codes,1995,CDC | perinephritic abscess; ; RF ICD-9-CM Index to Diseases, in: Medical terminology codes,1995,CDC
phlegmon juxta-rénal | phlegmon périnéphrétique | PPN [Abbr.]

rate-grown junction transistor [ RGJT | rate-grown transistor | graded-junction transistor | rategrown transistor ]
transistor à jonction agrandie [ transistor à taux d'accroissement | transistor à taux d'augmentation ]

single-molecule transistor | one-molecule transistor | monomolecular transistor | unimolecular transistor
transistor à molécule unique | transistor monomoléculaire | transistor unimoléculaire

proton transistor | protonic transistor | bioprotonic field-effect transistor | protonic field-effect transistor
transistor à protons | transistor protonique

PMOS transistor [ p-channel transistor | P-channel MOS | p-channel MOS transistor ]
transistor à canal P [ MOS à canal P ]

metal-oxide semiconductor field-effect transistor [ MOSFET | metal oxide semiconductor transistor | MOS transistor ]
transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur [ transistor MOS | transistor à effet de champ MOS | transistor métal oxyde semiconducteur | transistor à effet de champ à oxyde métallique ]

ADF RF signal reception
réception du signal radio ADF

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

RF power transistors make RF signals more powerful and are predominantly used in base stations for mobile telecommunications (3G, 4G, LTE), as well as in radio and television broadcasting, microwave ovens, mobile radios and air traffic control equipment.
Les transistors de puissance, qui amplifient la puissance des signaux RF, sont principalement utilisés dans les stations de base pour télécommunications mobiles (3G, 4G, LTE), ainsi que dans le matériel de radiotélédiffusion, les fours à micro-ondes, la radio-téléphonie mobile et les équipements de contrôle du trafic aérien.

These commitments completely remove the overlap between the RF power transistor activities of NXP and Freescale, and therefore adequately address the competition concerns identified by the Commission.
Ces engagements auront pour effet de supprimer totalement le chevauchement existant entre les activités «transistors de puissance radiofréquences» de NXP et de Freescale et, partant, de résoudre les problèmes de concurrence constatés par la Commission.

The commitments offered by NXP will allow the purchaser of the divested business to replicate NXP's previous role in the RF power transistors market thereby maintaining effective competition.
Les engagements proposés par NXP permettront à l'acheteur de l'activité cédée de reprendre le rôle joué jusqu'ici par NXP sur le marché des transistors de puissance radiofréquences et de maintenir ainsi une concurrence efficace.

The Commission found that the two companies’ semiconductor product portfolios were mostly complementary, except for radio frequency (“RF”) power transistors.
La Commission a constaté que les gammes de semi-conducteurs proposées par les deux entreprises étaient en majeure partie complémentaires, à l'exception des transistors de puissance radiofréquences (RF).

The Commission found that NXP and Freescale are the two largest players and close competitors in the RF power transistors market, in particular those used in base stations for mobile telecommunications.
La Commission a constaté que NXP et Freescale étaient des concurrents proches et les deux principaux acteurs du marché des transistors de puissance RF, en particulier ceux utilisés dans les stations de base pour les télécommunications mobiles.