Vertaling van "Testing semi-conductors " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

checking semiconductors | testing semi-conductors | semi-conductor checking | test semiconductors
tester des semi-conducteurs

types of semi-conductors | typology of semi-conductors | semiconductors | typology of integrated circuits
semiconducteurs | semi-conducteurs

laser diode | LD | laser-diode | semiconductor injection laser | semi-conductor injection laser | semiconductor laser | semi-conductor laser | injection laser | injection laser diode | ILD | junction diode laser | diode laser | semiconductor laser diode
diode laser | DL | laser à injection | laser à jonction | laser à semiconducteur | LSC | laser à semi-conducteur | laser à semiconducteurs | LSC | diode laser à semiconducteurs | laser semiconducteur

nonequilibrium semiconductor [ non-equilibrium semiconductor | nonequilibrium semi-conductor | non-equilibrium semi-conductor ]
semiconducteur hors d'équilibre [ semi-conducteur hors d'équilibre ]

direct transition semiconductor [ direct-transition semi-conductor | direct transition semi-conductor ]
semi-conducteur à transition directe [ semiconducteur à transition directe ]

semi-conducting glass | semi-conductive glass | semi-conductor glass
verre semi-conducteur

semi-conductor converter set
groupe convertisseur à semi-conducteurs

resistance meter for semi-conductor devices
résistivimètre pour semi-conducteurs

semi-conductor devices
dispositifs à semi-conducteurs

amorphous semiconductor [ amorphous semi-conductor ]
semiconducteur amorphe [ semi-conducteur amorphe ]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party
l’opération de diffusion, dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’il soit ou non assemblé et/ou testé dans un pays tiers.

8542 31 to 8542 33 and 8542 39 | Monolithic integrated circuits | Manufacture from materials of any heading, except that of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 45 % of the ex-works price of the product |
8542 31 à 8542 33 et 8542 39 | Circuits intégrés monolithiques | Fabrication à partir de matières de toute position, à l'exclusion des matières de la même position que le produit ou l'opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l'introduction sélective d'un dopant adéquat, qu'ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 45 % du prix départ usine du produit |

– proximity cards and "smart cards" with two or more electronic integrated circuits | Manufacture in which: the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, andwithin the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
– Cartes à déclenchement par effet de proximité et cartes à puce comportant deux circuits électroniques intégrés ou davantage | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre que ceux visés aux articles 3 et 4 | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |

– Monolithic integrated circuits | Manufacture in which: the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, andwithin the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country or territory other than those specified in Articles 3 and 4 | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |
– Circuits intégrés monolithiques | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays ou territoire autre que ceux visés aux articles 3 et 4 | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |