Vertaling van "Unipolar Complimentary Metal Oxide Semiconductor " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

unipolar Complimentary Metal Oxide Semiconductor [ unipolar CMOS ]
CMOS unipolaire

bipolar Complimentary Metal Oxide Semiconductor [ bipolar CMOS ]
CMOS bipolaire

metal-oxide semiconductor [ MOS | metal oxide semiconductor | metal-oxide-semiconductor ]
métal-oxyde-semiconducteur

metal oxide semiconductor | metal-oxide semiconductor | MOS [Abbr.]
métal-oxyde-semiconducteur | semiconducteur MOS | MOS [Abbr.]

field effect transistor of MOS technology | metal oxide semiconductor field-effect transistor | Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | MOSFET [Abbr.]
transistor à effet de champ, réalisé en technologie MOS

metal-oxide-semiconductor transistor | metal-oxide-silicon transistor | MOS transistor | MOST [Abbr.]
transistor MOS

complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit
circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »

vertical metal oxide semiconductor technology | VMOS technology
technologie VMOS

MOS memory | metal-oxide semiconductor memory
mémoire MOS

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

The aim of the programme is to develop new technologies for the design and production of the next generation of integrated circuits and to strengthen the structure of the European micro- and nanoelectronics industry by positioning the Crolles-Grenoble cluster as a global leader in the field of advanced CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technology.
Ce programme vise à développer de nouvelles technologies pour la conception et la production des prochaines générations de circuits intégrés, ainsi qu’à renforcer la structuration de la filière européenne en micro-nanoélectronique, en positionnant le cluster de Crolles - Grenoble comme un leader au niveau mondial dans le domaine des technologies CMOS ("Complementary metal-oxide-semiconductor") digitales avancées.

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) sensor,
équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire

The Applicant's alternator has an increased efficiency compared to the baseline alternator by reducing the following three losses: rectification losses by optimising the rectification by the use of a ‘MOSFET module’, i.e. by a use of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor; stator iron losses by the use of thin laminated core made by magnetic steel, and stator copper losses by the use of a ‘segment conductor’, which has higher space factor and shorter coil end.
L'alternateur du demandeur offre un rendement accru, comparé à celui de l'alternateur de base, car il réduit les trois pertes suivantes: rectification des pertes en optimalisant la rectification grâce au module MOSFET, à savoir en utilisant un transistor à effet de champ à oxydes métalliques; les pertes du stator en fer en utilisant un fin noyau stratifié composé d'acier magnétique, et les pertes du stator en cuivre en utilisant un «segment conducteur» avec un facteur spatial plus élevé et une tête de bobine plus courte.

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) sensor,
équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semiconducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire,

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track
[12] La technologie métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) est la technologie standard pour les circuits intégrés de la piste «more Moore».

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).