The project comprises the construction of a new plant producing DRAMs (Dynamic Random Access Memory - semiconductors that store binary data) with a storage capability of 512 megabit and beyond.
Ce projet prévoit notamment la construction d'une nouvelle usine de production d'unités de mémoire vive dynamique (ou DRAM pour Dynamic Random Access Memory - des semi-conducteurs qui emmagasinent des données binaires) dont la capacité de stockage peut atteindre 512 mégabits, voire plus.