Traduction de «high-temperature polycrystalline silicon » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

high-temperature polysilicon | HTPS | high-temperature polycrystalline silicon | high-temperature polysilicon technology | HTPS technology | crystal clear fine | C2 fine
polysilicium à haute température | polysilicium haute température | silicium polycristallin à haute température | silicium polycristallin haute température | technologie HTPS

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Since the DPF substrate must have high temperature resistance, the material (mostly silicon carbide) must be prepared at very high temperatures and under oxygen free atmosphere.
Étant donné que le substrat destiné au DPF doit être extrêmement résistant aux très hautes températures, le matériau utilisé (en général le carbure de silicium) doit être produit à une température extrêmement élevée et sous atmosphère sans oxygène.

A DPF substrate is in general made of porous silicon carbide which must resist 1 000 °C (resistance to such high temperature is needed to burn-off soot and avoid blockage of the coated filter).
Le matériau de base des substrats destinés aux DPF est généralement le carbure de silicium poreux, résistant à une température de 1 000 °C (la résistance à de hautes températures est nécessaire à la combustion de la suie pour empêcher le colmatage du filtre revêtu).

While silicon carbide, the material used for a DPF substrate (which is also the material of IBIDEN HU’s substrate), must be prepared at very high temperature (above 2 000 °C) in the oxygen free atmosphere.
En revanche, le matériau utilisé pour les substrats de DPF, le carbure de silicium (il sert aussi au substrat d’IBIDEN HU) doit être fabriqué à une température extrêmement élevée (plus de 2 000 °C) et sous une atmosphère sans oxygène.

Silicon (polycrystalline or monocrystalline) of very high purity, doped by addition or by selective purification, used in the manufacture of diodes, transistors and other similar semiconductor elements, shall be classified under: (a) Common Customs Tariff subheading No 28.04:
Le silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs relève dans le tarif douanier commun: a) de la sous-position 28.04:

Whereas provision must be made to ensure uniform application of the nomenclature of the Common Customs Tariff with a view to the classification of silicon (polycrystalline or monocrystalline) of very high purity, doped by addition or by selective purification, used in the manufacture of diodes, transistors and other similar semi-conductor elements;
considérant que des dispositions sont nécessaires pour assurer l'application uniforme de la nomenclature du tarif douanier commun en vue de la classification du silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté, dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs;