Vertaling van "indium gallium arsenide phosphide laser " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

Indium gallium arsenide phosphide laser [ InGaAsP laser ]
laser à indium gallium arséniure phosphure [ laser à InGaAsP ]

negative electron affinity indium gallium arsenide [ NEA indium gallium arsenide ]
arséniure d'indiumgallium à affinité aux électrons négatifs [ arséniure d'indiumgallium NEA ]

Gallium Arsenide Phosphide Photo Diode
cellule au phospho-arséniure de gallium

gallium-arsenide-phosphide lamp
diode luminescente au phosphure et arséniure de gallium

indium gallium arsenic phosphide
phosphure d'arsénic indium-gallium

quaternary alloy indium gallium arsenic phosphide
alliage quaternaire phosphure arséniure d'indium et de gallium

aluminium gallium arsenide laser
laser à l'arséniure de gallium et d'aluminium

gallium indium arsenide | GaInAs
arséniure d'indium et de gallium | GaInAs | arséniure de gallium et d'indium | arséniure de gallium-indium

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

The main driving emerging technologies for the critical raw materials are antimony tin oxide and micro capacitors for Antimony, Lithium-ion batteries and synthetic fuels for Cobalt, thin layer photovoltaics, IC, WLED for Gallium, fibre optic cable for and IR optical technologies for Germanium, displays and thin layer photovoltaics for Indium, Fuel cells and catalysts for, Platinum (PGM), catalysts and seawater desalination for Palladium (PGM), micro capacitors and ferroalloys for Niobium, permanent magnets and laser technology for Neodymium (rare earth), and micro capacitors and medical technology for Tantalum.
Les technologies émergentes qui sont les principaux moteurs de la demande de matières premières critiques sont l’oxyde d’antimoine et d’étain et les microcondensateurs pour l’antimoine, les batteries ion lithium et les carburants de synthèse pour le cobalt, les cellules photovoltaïques en couches minces, les circuits intégrés et les diodes électroluminescentes blanches pour le gallium, les câbles à fibres optiques et les technologies optiques infrarouges pour le germanium, les écrans d’affichage et les cellules photovoltaïques en couches minces pour l’indium, les piles à combustible et les catalyseurs pour le platine (métal du groupe du platine), les catalyseurs et le dessalement d’eau de mer pour le palladium (métal du groupe du platine), les microcondensateurs et les ferro-alliages pour le niobium, les aimants permanents et la technologie laser pour le néodyme (terre rare), ainsi que les microcondensateurs et la technologie médicale pour le tantale.

III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
Les composés III/V sont des produits polycristallins ou monocristallins binaires ou complexes constitués d'éléments des groupes IIIA et VA du tableau de classification périodique de Mendeleïev (arséniure de gallium, arséniure de gallium-aluminium, phosphure d'indium, etc.).

9'. Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
9. Les "matériaux pour fenêtres de capteurs" sont les suivants: alumine, silicium, germanium, sulfure de zinc, séléniure de zinc, arséniure de gallium, diamant, gallium phosphoré, saphir et les halogénures métalliques suivants: matériaux pour fenêtres de capteurs ayant un diamètre supérieur à 40 mm pour le fluorure de zirconium et le fluorure de hafnium.

9". Sensor window materials", as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
9. Les "matériaux pour fenêtres de capteurs" sont les suivants: alumine, silicium, germanium, sulfure de zinc, séléniure de zinc, arséniure de gallium, diamant, gallium phosphoré, saphir et les halogénures métalliques suivants: matériaux pour fenêtres de capteurs ayant un diamètre supérieur à 40 mm pour le fluorure de zirconium et le fluorure de hafnium.