Traduction de «intelligent random-access memory » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

intelligent random-access memory
mémoire intelligente à accès aléatoire

random access memory [ RAM | random-access memory | direct access storage | random access storage | random access store | random storage | direct-access memory ]
mémoire vive [ MEV | mémoire active | mémoire à accès direct | mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif ]

extended data out random access memory | EDO RAM | extended data out RAM | extended data output random access memory | extended data out dynamic random access memory | extended data out DRAM | EDO DRAM | extended data output RAM | EDO memory
mémoire vive à sortie de données étendue | mémoire vive à chevauchement | mémoire vive EDO | mémoire EDO

conductive-bridging random-access memory | CBRAM | conductive-bridging RAM | conductive-bridge random-access memory | conductive-bridge RAM | programmable metallization cell memory | electrolytic memory | PMC | solid-state electrolyte memory | nano-ionic memory | NanoBridge
mémoire résistive à pont conducteur | mémoire à pont conducteur | mémoire CBRAM | mémoire à conduction ionique | mémoire nano-ionique | mémoire PMC

random access memory | RAM | random access storage | random access store | read/write memory
mémoire vive | MEV | mémoire RAM | RAM | mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif | mémoire à accès direct | mémoire de lecture-écriture

random access memory | random access storage | random access store | RAM [Abbr.]
mémoire à accès aléatoire | mémoire adressable | mémoire vive

random-access memory | random-access storage | read-write memory | RAM [Abbr.]
mémoire à accès sélectif | mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire | mémoire vive | MEV [Abbr.] | Ram [Abbr.]

static RAM [ SRAM | static random access memory | static random-access memory | static read/write memory | static memory ]
mémoire vive statique [ SRAM | RAM statique | mémoire SRAM | mémoire statique ]

resistive RAM [ ReRAM,RRAM | resistive random access memory | resistive random-access memory ]
mémoire vive résistive [ mémoire résistive ]

random-access memory [ RAM ]
mémoire vive

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.
Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

2". Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
2". microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

- intelligent services for accessing and promoting culture (including the cultural heritage, regional development and tourism) ; tools for communities to collect and preserve their cultural memories based on living heritage; methods and tools for preservation and diversification of digital content; making digital objects usable by future users whilst keeping authenticity and integrity of their original creation and context of use.
services intelligents d'accès et de promotion de la culture (y compris le patrimoine culturel, le développement régional et le tourisme) ; outils permettant aux collectivités de rassembler les éléments qui leur permettront de créer leur mémoire culturelle en partant du patrimoine vivant; méthodes et outils de conservation et diversification des contenus numériques; rendre les objets numériques utilisables par les utilisateurs futurs, tout en préservant l'authenticité et l'intégrité de leur création originale et de leur contexte d'utilisation.

- intelligent services for access to cultural heritage in digital form; tools for communities to create new cultural memory based on living heritage; methods and tools for preservation of digital content; making digital objects usable by future users whilst keeping authenticity and integrity of their original creation and context of use.
services intelligents d'accès au patrimoine culturel sous forme numérique ; outils permettant aux collectivités de créer une nouvelle mémoire culturelle en partant du patrimoine vivant; méthodes et outils de conservation des contenus numériques; rendre les objets numériques utilisables par les utilisateurs futurs, tout en préservant l'authenticité et l'intégrité de leur création originale et de leur contexte d'utilisation.

- intelligent services for access to cultural heritage in digital form; tools for communities to create new cultural memory based on living heritage; methods and tools for preservation of digital content; making digital objects usable by future users whilst keeping authenticity and integrity of their original creation and context of use.
– services intelligents d'accès au patrimoine culturel sous forme numérique; outils permettant aux collectivités de créer une nouvelle mémoire culturelle en partant du patrimoine vivant; méthodes et outils de conservation des contenus numériques; rendre les objets numériques utilisables par les utilisateurs futurs, tout en préservant l'authenticité et l'intégrité de leur création originale et de leur contexte d'utilisation.

Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

I. whereas an intelligence system which intercepted communications permanently and at random would be in violation of the principle of proportionality and would not be compatible with the ECHR; whereas it would also constitute a violation of the ECHR if the rules governing the surveillance of communications lacked a legal basis, if the rules were not generally accessible or if they were so formulated that their implications for the individual were unforeseeable, or if the interference was not proportionate; whereas most of the rules governing the activities of US intelligence services abroad are classified, so that compliance with the principle of proportionality is at least doubtful and breaches of the principles of accessibility and foreseeability laid down by the European Court of Human Rights probably occur,
I. considérant qu'un système de renseignements qui intercepterait de manière aléatoire et en permanence les communications serait contraire au principe de proportionnalité et incompatible avec la Convention relative aux droits de l'homme; que, dans le même ordre d'idées, il y aurait violation de ladite Convention si les dispositions en vertu desquelles la surveillance des communications s'effectue sont dépourvues de base légale, si celle-ci n'est pas accessible à tous ou si elle est formulée de telle manière que la personne ne peut en appréhender les conséquences ou si l'atteinte n'était pas proportionnée; que les dispositions sur la base desquelles des services de renseignements américains opèrent à l'étranger sont en grande partie confidentielles, de sorte que le respect du principe de proportionnalité est à tout le moins douteux et qu'il y a manquement au principe d'accès au droit et de prévisibilité de ses effets énoncé par la Cour européenne des droits de l'homme,

I. whereas an intelligence system which intercepted communications permanently and at random would be in violation of the principle of proportionality and would not be compatible with the ECHR; whereas it would also constitute a violation of the ECHR if the rules governing the surveillance of communications lacked a legal basis, if the rules were not generally accessible or if they were so formulated that their implications for the individual were unforeseeable, or if the interference was not proportionate; whereas most of the rules governing the activities of US intelligence services abroad are classified, so that compliance with the principle of proportionality is at least doubtful and breaches of the principles of accessibility and foreseeability laid down by the European Court of Human Rights probably occur,
I. considérant qu'un système de renseignements qui intercepterait de manière aléatoire et en permanence les communications serait contraire au principe de proportionnalité et incompatible avec la Convention relative aux droits de l'homme, que, dans le même ordre d'idées, il y aurait violation de ladite Convention si les dispositions en vertu desquelles la surveillance des communications s'effectue sont dépourvues de base légale, si celle-ci n'est pas accessible à tous ou si elle est formulée de telle manière que la personne ne peut en appréhender les conséquences ou si l'atteinte n'était pas proportionnée; que les dispositions sur la base desquelles des services de renseignements américains opèrent à l'étranger sont en grande partie confidentielles, de sorte que le respect du principe de proportionnalité est à tout le moins douteux et qu'il y a manquement au principe d'accès au droit et de prévisibilité de ses effets énoncé par la Cour des droits de l'homme,