Traduction de «keep alive random access memory » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

keep alive random access memory | keep alive RAM | keep alive memory | KAM
mémoire vive d'anomalies | mémoire vive de diagnostic

random access memory [ RAM | random-access memory | direct access storage | random access storage | random access store | random storage | direct-access memory ]
mémoire vive [ MEV | mémoire active | mémoire à accès direct | mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif ]

extended data out random access memory | EDO RAM | extended data out RAM | extended data output random access memory | extended data out dynamic random access memory | extended data out DRAM | EDO DRAM | extended data output RAM | EDO memory
mémoire vive à sortie de données étendue | mémoire vive à chevauchement | mémoire vive EDO | mémoire EDO

conductive-bridging random-access memory | CBRAM | conductive-bridging RAM | conductive-bridge random-access memory | conductive-bridge RAM | programmable metallization cell memory | electrolytic memory | PMC | solid-state electrolyte memory | nano-ionic memory | NanoBridge
mémoire résistive à pont conducteur | mémoire à pont conducteur | mémoire CBRAM | mémoire à conduction ionique | mémoire nano-ionique | mémoire PMC

random access memory | random access storage | random access store | RAM [Abbr.]
mémoire à accès aléatoire | mémoire adressable | mémoire vive

random-access memory | random-access storage | read-write memory | RAM [Abbr.]
mémoire à accès sélectif | mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire | mémoire vive | MEV [Abbr.] | Ram [Abbr.]

digital to analogue video converter with random-access memory | Ram Digital Analogic Converter | Random Access Memory Digital to Analogue Converter | RAMDAC [Abbr.]
convertisseur numérique/analogique video avec mémoire de lecture-écriture à accès aléatoire | Ramdac [Abbr.]

static RAM [ SRAM | static random access memory | static random-access memory | static read/write memory | static memory ]
mémoire vive statique [ SRAM | RAM statique | mémoire SRAM | mémoire statique ]

resistive RAM [ ReRAM,RRAM | resistive random access memory | resistive random-access memory ]
mémoire vive résistive [ mémoire résistive ]

random-access memory [ RAM ]
mémoire vive

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

3.6.6. Each counter shall be reset to zero only when a non-volatile memory reset occurs (e.g. reprogramming event, etc.) or, if the numbers are stored in keep-alive memory (KAM), when KAM is lost due to an interruption in electrical power to the control module (e.g. battery disconnect, etc.).
3.6.6. Chaque compteur est remis à zéro seulement en cas d’effacement de la mémoire rémanente (par exemple, incident de reprogrammation, etc.) ou, si les nombres sont enregistrés dans une mémoire volatile (KAM), lorsque la KAM est effacée à la suite d’une coupure de courant dans le module de commande (par exemple, déconnexion de la batterie, etc.).

The Europe-Wide Day of Remembrance for the victims of totalitarian and authoritarian regimes keeps alive the memory of the victims and pays tribute to them.
La «Journée européenne du souvenir» pour la commémoration des victimes des régimes totalitaires et autoritaires perpétue le souvenir des victimes et rend hommage à celles-ci.

Keeping these memories alive is not only a tribute to the victims but also a way to ensure that these ideologies can be forcefully rejected and such atrocities never happen again.
Le fait de maintenir ces souvenirs vivaces ne constitue pas seulement un hommage aux victimes, c'est aussi une manière de s'assurer que ces idéologies peuvent être rejetées avec force et que de telles atrocités ne se reproduiront plus.

The European Parliament resolution of 2 April 2009 on European conscience and totalitarianism and the Council Conclusions of 9-10 June 2011 on the memory of the crimes committed by totalitarian regimes in Europe underline the importance of keeping the memories of the past alive as a means of moving beyond the past and building the future, and highlight the value of the Union's role in facilitating, sharing and promoting the collective memory of these crimes.
La résolution du Parlement européen du 2 avril 2009 sur la conscience européenne et le totalitarisme et les conclusions du Conseil des 9 et 10 juin 2011 sur la mémoire des crimes commis par les régimes totalitaires en Europe soulignent qu'il importe d'entretenir le souvenir du passé, afin de le dépasser et de construire l'avenir, et insistent sur l'importance du rôle de l'Union pour ce qui est de faciliter et d'encourager l'émergence d'une mémoire collective sur ces crimes et de partager cette mémoire.

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.
Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

for the preservation of the main sites and memorials associated with the mass deportations, the former concentration camps and other large-scale martyrdom and extermination sites of Nazism, as well as the archives documenting these events and for keeping alive the memory of the victims, as well as the memory of those who, under extreme conditions, rescued people from the Holocaust.
des projets visant à préserver les principaux sites et mémoriaux ayant un lien avec les déportations de masse, les anciens camps de concentration et autres sites de martyre et d'extermination à grande échelle du nazisme, ainsi que les archives relatives à ces événements, et à entretenir le souvenir des victimes, ainsi que le souvenir de ceux qui, dans des conditions extrêmes, ont sauvé des personnes de l'holocauste.

2". Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
2". microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit: