Traduction de «mos circuit » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

MOS circuit [ MOS integrated circuit | MOS IC ]
circuit MOS [ circuit intégré MOS | circuit intégré à transistors MOS ]

static MOS circuits
circuit MOS statiques

N-channel metal-oxide semiconductor [ N-channel MOS circuit | n-channel MOS | N-channel MOS ]
MOS à canal N

complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit
circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »

dynamic MOS logic circuit | MOS dynamic logic circuit
circuit logique dynamique à MOS

hybrid MOS-bipolar i.c. | MOS-bipolar transistor integrated circuit
circuit intégré à transistors MOS et bipolaires

magneto-optical disk [ MO disk | magneto-optical disc | magneto-optic disk | magneto-optic disc | MO disc | M-O disk | M-O disc | CD-Magneto Optical | CD-MO | CD-MO disc ]
disque magnéto-optique [ DMO | disque magnétoscopique ]

tricesimo-secundo | thirty-twomo | thirty-two-mo | 32 mo
in-trente-deux | in 32

MOS technology | MOS
technologie MOS

Mo-1 deficiency
déficit d'adhésion leucocytaire type I

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).