Vertaling van "random access memory chache " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

RAM cache [ random access memory chache ]
cache RAM

random access memory [ RAM | random-access memory | direct access storage | random access storage | random access store | random storage | direct-access memory ]
mémoire vive [ MEV | mémoire active | mémoire à accès direct | mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif ]

extended data out random access memory | EDO RAM | extended data out RAM | extended data output random access memory | extended data out dynamic random access memory | extended data out DRAM | EDO DRAM | extended data output RAM | EDO memory
mémoire vive à sortie de données étendue | mémoire vive à chevauchement | mémoire vive EDO | mémoire EDO

conductive-bridging random-access memory | CBRAM | conductive-bridging RAM | conductive-bridge random-access memory | conductive-bridge RAM | programmable metallization cell memory | electrolytic memory | PMC | solid-state electrolyte memory | nano-ionic memory | NanoBridge
mémoire résistive à pont conducteur | mémoire à pont conducteur | mémoire CBRAM | mémoire à conduction ionique | mémoire nano-ionique | mémoire PMC

random access memory | random access storage | random access store | RAM [Abbr.]
mémoire à accès aléatoire | mémoire adressable | mémoire vive

random access memory | RAM | random access storage | random access store | read/write memory
mémoire vive | MEV | mémoire RAM | RAM | mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif | mémoire à accès direct | mémoire de lecture-écriture

static RAM [ SRAM | static random access memory | static random-access memory | static read/write memory | static memory ]
mémoire vive statique [ SRAM | RAM statique | mémoire SRAM | mémoire statique ]

digital to analogue video converter with random-access memory | Ram Digital Analogic Converter | Random Access Memory Digital to Analogue Converter | RAMDAC [Abbr.]
convertisseur numérique/analogique video avec mémoire de lecture-écriture à accès aléatoire | Ramdac [Abbr.]

random-access memory | random-access storage | read-write memory | RAM [Abbr.]
mémoire à accès sélectif | mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire | mémoire vive | MEV [Abbr.] | Ram [Abbr.]

random-access memory [ RAM ]
mémoire vive

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

It involved a network of contacts and sharing of secret information, mostly on a bilateral basis, through which they coordinated the price levels and quotations for DRAMs (Dynamic Random Access Memory), sold to major PC or server original equipment manufacturers (OEMs) in the EEA. DRAMs is a common model for "dynamic" semiconductor memories for personal computers (PCs), servers and workstations.
Elle faisait intervenir un réseau de correspondants et impliquait le partage d’informations confidentielles, essentiellement sur une base bilatérale, permettant ainsi aux producteurs de coordonner les prix des DRAM (Dynamic Random Access Memory), un modèle commun de mémoire dynamique à semi-conducteur destiné aux ordinateurs personnels (PC), aux serveurs et aux postes de travail vendus aux principaux fabricants d’équipements d’origine pour PC et serveurs dans l’EEE.

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.
Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

2". Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
2". microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

Like DRAM (Dynamic Random Access Memory), flash memories' bytes may be individually read.
Comme les mémoires vives dynamiques, les bytes des mémoires instantanées peuvent être lus individuellement.

Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

The products covered under the agreements are Dynamic Random Access Memories (DRAMs) and Flash Erasable Programmable Read-Only Memories (Flash EPROMs).
Les produits couverts par les acc ords sont les mémoires RAM dynamiques et les mémoires flash mortes programmables électriquement.

2. The Product The products under investigation are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) whether assembled, in processed wafer or die form of all MOS technologies and all densities irrespective of technical properties.
2. Produit Les produits faisant l'objet de l'enquête sont certains types de microstructures électroniques dites "DRAM" (dynamic random access memories), qu'ils soient assemblés sous la forme de disques ou de microplaquettes traités, et faisant appel à toutes les technologies de fabrication MOS et de toutes densités quelles que soient leurs caractéristiques techniques.

- State aid no N 138/94 - Micro-electronic sector - SIEMENS AG - Saxony - Germany (Dresden) - Approval The Commission has decided to authorize, under Article 92(3) c) of the EC Treaty, an ad hoc subsidy of 450 mio DM (231 MECU) payable in five annual instalments over the period 1995-1999 that the Government of Saxony intends to grant to SIEMENS AG for the setting-up in Dresden of a new R+D and production plant of Dynamic Random Access Memories ("DRAMs").
- Aide d'État n° N 138/94 - Secteur de la microélectronique - SIEMENS AG - Saxe, Allemagne (Dresde) - Approbation La Commission a décidé d'autoriser, en application de l'article 92 paragraphe 3 c) du Traité CE, une subvention ad hoc de 450 millions de DM (231 millions d'écus) payable en cinq versements annuels au cours de la période de 1995 à 1999 que les autorités de la Saxe se proposent d'accorder à SIEMENS AG pour la création à Dresde d'un nouveau centre de RD et de production de mémoires vives (RAM) dynamiques.