Traduction de «semiconductor memory » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

semiconductor memory [ solid state memory | semiconductor storage ]
mémoire à semi-conducteurs [ mémoire à semiconducteurs ]

semiconductor memory
mémoire à semiconducteurs | mémoire semiconductrice

semiconductor memory
mémoire à semi-conducteurs

solid-state memory | semiconductor memory | semiconductor storage | integrated circuit memory | IC memory
mémoire électronique | mémoire à semi-conducteurs | mémoire à semi-conducteur | mémoire transistorisée

metal-oxide semiconductor memory [ MOS memory ]
mémoire MOS

MOS memory | metal-oxide semiconductor memory
mémoire MOS

semiconductor RAM [ semiconductor random access memory ]
RAM à semi-conducteurs [ mémoire vive à semi-conducteurs | mémoire à accès direct à semi-conducteurs ]

collective memory [ common memory | cultural memory | historical memory | national memory | public memory | social memory ]
mémoire collective [ lieu de mémoire | mémoire culturelle | mémoire historique | mémoire populaire | mémoire publique | mémoire sociale | souvenir collectif ]

3-5 compound semiconductor | III-V semiconductor | three-five compound semiconductor | three-five semiconductor
semiconducteur composé des groupes trois et cinq

conductive-bridging random-access memory | CBRAM | conductive-bridging RAM | conductive-bridge random-access memory | conductive-bridge RAM | programmable metallization cell memory | electrolytic memory | PMC | solid-state electrolyte memory | nano-ionic memory | NanoBridge
mémoire résistive à pont conducteur | mémoire à pont conducteur | mémoire CBRAM | mémoire à conduction ionique | mémoire nano-ionique | mémoire PMC

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

It can read optical media (for example, CD, DVD) and semiconductor media (for example, USB flash memory) in various audio and video formats.
L'appareil permet la lecture de supports optiques (tels que cédéroms et DVD), ainsi que de supports semi-conducteurs (tels que mémoire flash à interface USB) dans différents formats audio et vidéo.

It involved a network of contacts and sharing of secret information, mostly on a bilateral basis, through which they coordinated the price levels and quotations for DRAMs (Dynamic Random Access Memory), sold to major PC or server original equipment manufacturers (OEMs) in the EEA. DRAMs is a common model for "dynamic" semiconductor memories for personal computers (PCs), servers and workstations.
Elle faisait intervenir un réseau de correspondants et impliquait le partage d’informations confidentielles, essentiellement sur une base bilatérale, permettant ainsi aux producteurs de coordonner les prix des DRAM (Dynamic Random Access Memory), un modèle commun de mémoire dynamique à semi-conducteur destiné aux ordinateurs personnels (PC), aux serveurs et aux postes de travail vendus aux principaux fabricants d’équipements d’origine pour PC et serveurs dans l’EEE.

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.

Today the European Commission has imposed a provisional countervailing duty of 33% on imports of DRAMS (dynamic random access memories) produced by the Korean producer Hynix Semiconductor.
La Commission européenne a institué aujourd'hui un droit compensateur provisoire de 33% sur les importations de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire) produits par le producteur coréen Hynix Semiconductor.

2". Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
2". microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

An EPROM (Electrically Programmable Read Only Memory is a non-volatile semiconductor memory device that is programmable electrically and erasable using ultraviolet light. Flash mermory, on the other hand, is a non- volatile semiconductor memory device that is both electrically programmable and electrically erasable, permitting speedier erasure than is the case with an EPROM. As indicated above, the JV's products will be produced using a new generation product technology, the 0.5 micron (or less) technology.
Celles-ci sont alors montées pour former des dispositifs prêts à l'emploi qui sont incorporés dans des appareils électroniques ou des cartes-mémoires. Une EPROM est une mémoire rémanente à semi-conducteurs programmable électriquement et effaçable par UV. La mémoire flash, quant à elle, est une mémoire rémanente à semi-conducteurs qui est à la fois programmable électriquement et effaçable électriquement, ce qui permet un effacement plus rapide qu'avec une mémoire EPROM. Ainsi qu'il est indiqué ci-dessus, les produits de la coentreprise seront fabriqués à l'aide d'une nouvelle technologie, la technologie "0,5 micron (ou moins)".

A similar story can also be found in the acquisition by Taiwan's TSMC — Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, the world's largest semiconductor foundry — of Emerging Memory Technologies Inc., a Kanata- based integrated circuit, IC, design company.
Un autre exemple est celui de l'acquisition par la société taïwanaise TSMC, Taïwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, le premier fabricant au monde de semi-conducteurs, de la société canadienne Emerging Memory Technologies Inc., qui a son siège à Kanata et qui conçoit des circuits intégrés.

The notified operation consists of an agreement for the creation of a Joint Venture, named Fujitsu AMD Semiconductor, for the production of wafers ("plaquettes") of certain types of non volatiles memories (NVMs) namely EPROMs ("Electrically Programmable Read Only Memories") and flash memories with geometries of 0.5 micron or less.
L'opération notifiée consiste en un accord portant sur la création d'une coentreprise, dénommée Fujitsu AMD Semiconductor, qui produira des plaquettes pour certains types de mémoires rémanentes, en l'occurence des EPROM (mémoires mortes programmables électriquement), et de mémoires flash avec des géométries de 0,5 micron au moins.