Vertaling van "silicon on insulator " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

strained silicon on insulator | sSOI | strained Si on insulator | strained SOI | strained silicon directly on insulator | SSDOI
silicium étiré sur isolant | silicium contraint sur isolant | Si étiré sur isolant | Si contraint sur isolant

silicon on insulator [ SOI | silicon-on-insulator ]
silicium sur isolant

silicon on insulator | SOI
silicium sur isolant | SSI

silicon-on-insulator process | silicon-on-sapphire | SOI [Abbr.] | SOS [Abbr.]
procédé silicium sur saphir | procédé silicum sur isolant | procédé SSI | SSI [Abbr.]

silicon-on-insulator | SiON [Abbr.] | SOI [Abbr.]
silicium sur isolant | SOI [Abbr.]

silicon-on-insulator | SOI [Abbr.]
silicium sur isolant | SOI [Abbr.]

fully-depleted silicon-on-insulator | FDSOI | fully-depleted SOI
silicium sur isolant totalement appauvri | silicium sur isolant totalement déserté | silicium sur isolant à déplétion totale

silicon-on-insulator wafer processing
traitement des tranches par silicone isolante

silicon-on-insulator process
procédé silicium sur isolant [ procédé silicium sur saphir | procédé silicium sur corindon ]

building insulation [ Insulation(ECLAS) ]
isolation de bâtiment

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Two technologies currently make it possible to scale down beyond 28 nm: (1) FinFET technology, created by the DARPA laboratories in the United States and first produced industrially by Intel, then later by TSMC; and (2) FDSOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) technology. The ISDA alliance with IBM and the Nano2012 project have demonstrated FDSOI’s performance and its potential to replace CMOS transistors on massive substrates for 28 nm technology (see IP/09/150); developing it beyond 28 nm is the core focus of the Nano2017 programme.
Deux technologies permettent actuellement d’aller au-delà du 28nm : la technologie FinFET, issue des laboratoires de la DARPA aux Etats-Unis, industrialisée pour la première fois par Intel, puis par TSMC d’une part ; et la technologie FDSOI ("Fully Depleted Silicon On Insulator"), dont les performances et la potentialité à remplacer les transistors CMOS sur substrats massifs pour le nœud technologique 28nm ont été démontrées dans le cadre de l’alliance ISDA avec IBM et du projet Nano2012 (voir IP/09/150), et dont le développement au-delà du 28nm est au cœur du programme Nano2017 d’autre part.

e. Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
e. substrats de silicium sur isolant (SOI) pour circuits intégrés dont l'isolant est le dioxyde de silicium;