Traduction de «MOS-bipolar transistor integrated circuit » (Anglais → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE

hybrid MOS-bipolar i.c. | MOS-bipolar transistor integrated circuit
hybride geïntegreerde schakeling met MOS-en bipolaire transistoren

electronic component [ electronic tube | integrated circuit | microchip | microprocessor | semi-conductor | transistor ]
elektronisch onderdeel [ chip | elektronenbuis | geheugencomponent | geïntegreerd circuit | halfgeleider | microprocessor | transistor ]

breadboard socket | integrated-circuit socket | transistor socket
breadboard voetje

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.
[16] De opmerking uit 1965 van Gordon Moore, mede-oprichter van Intel, over het tempo waarin de dichtheid van transistoren in geïntegreerde circuits toenam.

The number of transistors that can be placed on an integrated circuit is expected to increase exponentially, doubling approximately every two years (so-called 'Moore's Law').
Verwacht wordt dat het aantal transistoren dat op een geïntegreerd circuit kan worden geplaatst exponentieel zal groeien met ongeveer een verdubbeling per twee jaar (de zogenaamde "wet van Moore").

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.

(b) hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).
b) hybride geïntegreerde schakelingen, waarin passieve elementen (weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.), verkregen volgens de dun-of dikfilmtechniek, en actieve elementen (dioden, transistors, monolithische geïntegreerde schakelingen, enz.), verkregen volgens de halfgeleidertechniek, praktisch onverbrekelijk zijn opgenomen op eenzelfde isolerende onderlaag (van glas, van keramisch materiaal, enz.).

(a) monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated;
a) monolithische geïntegreerde schakelingen, waarvan de elementen (dioden, transistors, weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.) in de massa (hoofdzakelijk) of op het oppervlak van een halfgeleidermateriaal (bijvoorbeeld gedoopt silicium) tot stand zijn gebracht en een onverbrekelijk geheel vormen;