Traduction de «metal-oxide semiconductor » (Anglais → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE

field effect transistor of MOS technology | metal oxide semiconductor field-effect transistor | Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | MOSFET [Abbr.]
transistor met veldeffect, vervaardigd volgens de MOS-techniek

metal oxide semiconductor | metal-oxide semiconductor | MOS [Abbr.]
metaaloxidehalfgeleider | MOS [Abbr.]

metal-oxide-semiconductor transistor | metal-oxide-silicon transistor | MOS transistor | MOST [Abbr.]
MOS-transistor | MOST [Abbr.]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) sensor,
met één CCD-sensor (Charge-Coupled Device) of een CMOS-sensor (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),

The Applicant's alternator has an increased efficiency compared to the baseline alternator by reducing the following three losses: rectification losses by optimising the rectification by the use of a ‘MOSFET module’, i.e. by a use of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor; stator iron losses by the use of thin laminated core made by magnetic steel, and stator copper losses by the use of a ‘segment conductor’, which has higher space factor and shorter coil end.
Het rendement van de alternator van de aanvrager is groter dan dat van de basisalternator doordat de volgende drie verliezen worden beperkt: rectificatieverliezen, door het optimaliseren van de rectificatie via het gebruik van een „MOSFET-module”, d.w.z. een metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor); ijzerverliezen in de stator, door het gebruik van een dunne gelamineerde kern van magnetisch staal, en koperverliezen in de stator, door het gebruik van een „segment conductor” die een grotere factor ruimte en een korter spoeluiteinde heeft.

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) sensor,
met één CCD-sensor (Charge-Coupled Device) of een CMOS-sensor (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track
[12] CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) is de standaardtechnologie voor geïntegreerde schakelingen bij het "meer Moore"-spoor.

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.