Traduction de «shared random access memory » (Anglais → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE

shared random access memory | SRAM [Abbr.]
gemeenschappelijk RAM

random access memory | random access storage | random access store | RAM [Abbr.]
RAM-geheugen

random-access memory | random-access storage | read-write memory | RAM [Abbr.]
willekeurig toegankelijk lees/schrijfgeheugen | Ram [Abbr.]

DRAM | Dynamic RAM | Dynamic random-access memory
Dynamisch RAM | Dynamisch RAM-geheugen

RAM | Random-access memory
Direct toegankelijk geheugen | RAM

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.
Bij Verordening (EG) nr. 1480/2003 (3) (hierna „de definitieve verordening” genoemd) heeft de Raad een definitief compenserend recht van 34,8 % ingesteld op bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories) uit de Republiek Korea, vervaardigd door andere ondernemingen dan Samsung Electronics Co. Ltd (hierna „Samsung” genoemd), waarvoor een recht van 0 % werd vastgesteld.

41. Reiterates its intention to increase appropriations for the Youth in Action Programme, the World Special Olympic Summer Games, the Information outlets and the ongoing Preparatory Action in the field of sport; takes note of the initiative of the Council to present a new Preparatory action on commemorative sites in Europe and is of the opinion that this preparatory action could promote EU citizenship by preserving and facilitating access to historical sites of shared European memory;
41. bevestigt zijn voornemen om de kredieten voor het programma „Jeugd in Actie”, de World Special Olympic Summer Games, de Informatiecentra en de lopende voorbereidende actie op sportgebied te verhogen; neemt kennis van het initiatief van de Raad om een nieuwe voorbereidende actie te presenteren voor de bescherming van herdenkingsplaatsen in Europa en is van mening dat deze voorbereidende actie het EU-burgerschap zou kunnen bevorderen door historische locaties waar gezamenlijke Europese gebeurtenissen worden herdacht in stand te houden en makkelijker toegankelijk te maken;

2". Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
2". microprocessor-microschakelingen", "microcomputer-microschakelingen", microbesturing-microschakelingen, geïntegreerde geheugenschakelingen vervaardigd van samengesteld halfgeleidermateriaal, analoog/digitaal-omzetters, digitaal/analoog-omzetters, elektro-optische of "optisch geïntegreerde schakelingen" voor "signaalverwerking", door de gebruiker te programmeren logische bouwstenen, geïntegreerde schakelingen voor neutrale netwerken, op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de embargostatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet bekend is, of FFT ("Fast Fourier Transform")-processoren, elektrisch wisbare PROM's (EEPROM's), flash-geheugens of statische RAM's (SRAM's):

- State aid no N 138/94 - Micro-electronic sector - SIEMENS AG - Saxony - Germany (Dresden) - Approval The Commission has decided to authorize, under Article 92(3) c) of the EC Treaty, an ad hoc subsidy of 450 mio DM (231 MECU) payable in five annual instalments over the period 1995-1999 that the Government of Saxony intends to grant to SIEMENS AG for the setting-up in Dresden of a new R+D and production plant of Dynamic Random Access Memories ("DRAMs").
- Staatssteun nr. N 138/94 - Micro-electronica - SIEMENS AG - Saksen - Duitsland (Dresden) - Goedkeuring De Commissie heeft besloten krachtens artikel 92, lid 3, onder c), van het EG-Verdrag haar goedkeuring te hechten aan een eenmalige subsidie die de deelstaat Saksen voornemens is te verlenen aan SIEMENS AG. De steun zal 450 miljoen DM (231 miljoen ECU) bedragen en worden uitgekeerd in vijf jaarlijkse termijnen in de periode 1995-1999 ten behoeve van de bouw van een nieuwe fabriek voor OO inzake en produktie van Dynamic Random Access Memories ("DRAMs") in Dresden.

Anti-dumping measures: imports of "DRAMs" from Japan and the Republic of Korea The Council extended for one year the suspension of the definitive anti- dumping duties n imports of certain types of electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in Japan and in the Republic of Korea, imposed respectively by Regulations (EEC) Nos 2112/90 and 611/93.
Anti-dumping : Invoer van DRAM's uit Japan en de Republiek Korea De Raad heeft de opschorting van de definitieve anti-dumpingrechten op de invoer van bepaalde soorten elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's (dynamic random access memories), van oorsprong uit Japan en de Republiek Korea, die respectievelijk door de Verordeningen (EEG) nr. 2122/90 en nr. 611/93 zijn ingesteld, met een periode van één jaar verlengd.

Background In September 1992, the Commission imposed a provisional anti-dumping duty of 10.1% on all imports of DRAMs (dynamic random access memories) into the Community originating in the Republic of Korea1).
Achtergrond In september 1992 stelde de Commissie een voorlopig anti-dumpingrecht van 10,1 % in op de invoer in de Gemeenschap van DRAM's (dynamic random access memories) van oorsprong uit de Republiek Korea(1).