Vertaling van "synchronous dynamic random access memory " (Engels → Nederlands) :

TERMINOLOGIE

Synchronous Dynamic RAM | Synchronous Dynamic Random Access Memory | SDRAM [Abbr.]
SDRAM

dynamic Ram | dynamic random-access memory | dynamic storage | DRAM [Abbr.] | D-RAM [Abbr.]
dynamisch willekeurig toegankelijk lees/schrijfgeheugen | elektronische microschakeling

dynamic RAM | dynamic random access memory | DRAM [Abbr.]
dynamisch RAM-geheugen | dynamische RAM

DRAM | Dynamic RAM | Dynamic random-access memory
Dynamisch RAM | Dynamisch RAM-geheugen

RAM | Random-access memory
Direct toegankelijk geheugen | RAM

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.
De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.
Bij Verordening (EG) nr. 1480/2003 (3) (hierna „de definitieve verordening” genoemd) heeft de Raad een definitief compenserend recht van 34,8 % ingesteld op bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories) uit de Republiek Korea, vervaardigd door andere ondernemingen dan Samsung Electronics Co. Ltd (hierna „Samsung” genoemd), waarvoor een recht van 0 % werd vastgesteld.

The definitive Regulation was preceded by Commission Regulation (EC) No 708/2003 of 23 April 2003 imposing a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea (4) (provisional Regulation).
De definitieve verordening werd voorafgegaan door Verordening (EG) nr. 708/2003 van de Commissie van 23 april 2003 tot instelling van een voorlopig compenserend recht op micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, uit de Republiek Korea (4) (hierna „de voorlopige verordening” genoemd).

On 3 August 2005, the Dispute Settlement Body (DSB) of the World Trade Organisation (WTOmm) adopted a Panel report in ‘European Communities — Countervailing measures on dynamic random access memory chips from Korea’ (5).
Op 3 augustus 2005 heeft het Orgaan voor Geschillenbeslechting van de Wereldhandelsorganisatie (WTO) een rapport van het Panel goedgekeurd in de zaak „Europese Gemeenschappen - compenserende maatregelen ten aanzien van micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's in de vorm van chips uit Korea” (5).

The Council adopted today , with the French and Netherlands delegations voting against, a Regulation imposing a definitive countervailing duty and collecting definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea (11806/03).
De Raad heeft heden , met stemmen tegen van de Franse en de Nederlandse delegatie, een verordening aangenomen tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd (dynamic random access memories), uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 11806/03).

- State aid no N 138/94 - Micro-electronic sector - SIEMENS AG - Saxony - Germany (Dresden) - Approval The Commission has decided to authorize, under Article 92(3) c) of the EC Treaty, an ad hoc subsidy of 450 mio DM (231 MECU) payable in five annual instalments over the period 1995-1999 that the Government of Saxony intends to grant to SIEMENS AG for the setting-up in Dresden of a new R+D and production plant of Dynamic Random Access Memories ("DRAMs").
- Staatssteun nr. N 138/94 - Micro-electronica - SIEMENS AG - Saksen - Duitsland (Dresden) - Goedkeuring De Commissie heeft besloten krachtens artikel 92, lid 3, onder c), van het EG-Verdrag haar goedkeuring te hechten aan een eenmalige subsidie die de deelstaat Saksen voornemens is te verlenen aan SIEMENS AG. De steun zal 450 miljoen DM (231 miljoen ECU) bedragen en worden uitgekeerd in vijf jaarlijkse termijnen in de periode 1995-1999 ten behoeve van de bouw van een nieuwe fabriek voor OO inzake en produktie van Dynamic Random Access Memories ("DRAMs") in Dresden.

Anti-dumping measures: imports of "DRAMs" from Japan and the Republic of Korea The Council extended for one year the suspension of the definitive anti- dumping duties n imports of certain types of electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in Japan and in the Republic of Korea, imposed respectively by Regulations (EEC) Nos 2112/90 and 611/93.
Anti-dumping : Invoer van DRAM's uit Japan en de Republiek Korea De Raad heeft de opschorting van de definitieve anti-dumpingrechten op de invoer van bepaalde soorten elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's (dynamic random access memories), van oorsprong uit Japan en de Republiek Korea, die respectievelijk door de Verordeningen (EEG) nr. 2122/90 en nr. 611/93 zijn ingesteld, met een periode van één jaar verlengd.

The Council repealed Regulation (EEC) No 611/93, which imposed a definitive anti-dumping duty on imports of certain electronic microcircuits known as "DRAMs" ("dynamic random access memories"), originating in Korea, and closed the procedure concerning such imports as the Community industry had withdrawn its support for the retention of anti-dumping measures.
De Raad heeft Verordening (EEG) nr. 611/93 ingetrokken tot instelling van een definitief antidumpingrecht op de invoer van bepaalde elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's ("dynamic random access memories"), van oorsprong uit Korea, en heeft de procedure voor die invoer beëindigd, omdat de betrokken bedrijfstak uit de Gemeenschap zijn steun voor de voortzetting van de antidumpingmaatregelen heeft ingetrokken.

Background In September 1992, the Commission imposed a provisional anti-dumping duty of 10.1% on all imports of DRAMs (dynamic random access memories) into the Community originating in the Republic of Korea1).
Achtergrond In september 1992 stelde de Commissie een voorlopig anti-dumpingrecht van 10,1 % in op de invoer in de Gemeenschap van DRAM's (dynamic random access memories) van oorsprong uit de Republiek Korea(1).