Traduction de «Circuit intégré monolithique au silicium » (Français → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE

circuit intégré monolithique au silicium
silicium monolithische geïntegreerde schakeling

circuit intégré monolithique
monolithische geïntegreerde schakeling | monolitisch geïntegreerde schakeling | monolitische schakeling

circuit intégré monolithique à multiphase
meerfasen monolithische geïntegreerde schakeling

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Assurance produit des projets spatiaux - Conception, sélection, approvisionnement et utilisation de circuits intégrés monolithique hyperfréquence de forme die (1re édition)
Space product assurance - Design, selection, procurement and use of die form monolithic microwave integrated circuits (MMICs) (1e uitgave)

8542 31 à 8542 33 et 8542 39 | Circuits intégrés monolithiques | Fabrication à partir de matières de toute position, à l'exclusion des matières de la même position que le produit ou l'opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l'introduction sélective d'un dopant adéquat, qu'ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 45 % du prix départ usine du produit |
8542 31 t/m 8542 33 en 8542 39 | Monolithische geïntegreerde schakelingen | Vervaardiging uit materialen van een willekeurige post, met uitzondering van die van het product of de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan de partijen. | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet hoger is dan 45 % van de prijs af fabriek van het product. |

– Circuits intégrés monolithiques | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays ou territoire autre que ceux visés aux articles 3 et 4 | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |
– monolithische geïntegreerde schakelingen | Vervaardiging waarbij: de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product, enbinnen de hierboven gestelde beperking, de waarde van alle gebruikte materialen van posts 8541 and 8542 niet meer bedraagt 10 % van de prijs af fabriek van het productof de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan die genoemd in de artikelen 3 en 4 | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 25 % van de prijs af fabriek van het product |

a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;
a) monolithische geïntegreerde schakelingen, waarvan de elementen (dioden, transistors, weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.) in de massa (hoofdzakelijk) of op het oppervlak van een halfgeleidermateriaal (bijvoorbeeld gedoopt silicium) tot stand zijn gebracht en een onverbrekelijk geheel vormen;

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.
b) hybride geïntegreerde schakelingen, waarin passieve elementen (weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.), verkregen volgens de dun-of dikfilmtechniek, en actieve elementen (dioden, transistors, monolithische geïntegreerde schakelingen, enz.), verkregen volgens de halfgeleidertechniek, praktisch onverbrekelijk zijn opgenomen op eenzelfde isolerende onderlaag (van glas, van keramisch materiaal, enz.).

- EUREKA UE 127 JESSI (Joint European Submicron Silicon Initiative - Développement d'une technologie de microprocesseurs pour les circuits hautement intégrés au silicium) (T 22, AE 36, AC 5) - Recherche et développement - Italie Le programme JESSI a pour objet la mise en place en Europe d'un réseau de recherche et de savoir-faire, dans lequel des scientifiques, des producteurs de composants et des utilisateurs coopèrent en vue d'assurer l'indépendance de l'Europe en ce qui concerne la technologie de base dans le domaine de la microélectronique.
- EUREKA EU 127 JESSI (Joint European Submicron Silicon Initiative) (T22, AE 36, AC 5) - Onderzoek en ontwikkeling - ITALIÕ Met het JESSI-programma wordt beoogd een Europees kennis- en onderzoeknetwerk tot stand te brengen waarin wetenschappers, producenten van onderdelen en systeemgebruikers samenwerken om ervoor te zorgen dat Europa een onafhankelijke positie verwerft op het gebied van de micro-elektronica- basistechnologie.