2. réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organométallique (MOCVD) spécialement conçus pour la croissance cristalline de semi-conducteurs composés par réaction chimique entre des matériaux visés aux paragraphes 3C003 ou 3C004;
2. reactoren voor het chemisch neerslaan van organometaaldamp (MOCVD), speciaal ontworpen voor kristalgroei van samengestelde halfgeleiderverbindingen door de chemische reactie tussen materialen bedoeld in 3C003 of 3C004;