Traduction de «Mémoire dynamique à accès aléatoire » (Français → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE

mémoire dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | Mémoire électronique dynamique | Dram [Abbr.]
dynamisch willekeurig toegankelijk lees/schrijfgeheugen | elektronische microschakeling

mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès direct | mémoire à accès sélectif
direkt toegankelijk geheugen | geheugen met rondom toegang | rondomgeheugen | uniform toegankelijk geheugen

unité de mémoire à accès aléatoire | unité de mémoire à accès direct | unité de mémoire à accès sélectif
direct willekeurig toegankelijke geheugeneenheid

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.
De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.

Le Conseil a adopté un règlement modifiant le règlement (CE) n° 1480/2003 instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits "DRAM" (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (doc. 7246/06).
De Raad heeft een verordening aangenomen tot wijziging van Verordening (EG) nr.1480/2003 tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's, uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 7246/05).

Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.
Bij Verordening (EG) nr. 1480/2003 (3) (hierna „de definitieve verordening” genoemd) heeft de Raad een definitief compenserend recht van 34,8 % ingesteld op bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories) uit de Republiek Korea, vervaardigd door andere ondernemingen dan Samsung Electronics Co. Ltd (hierna „Samsung” genoemd), waarvoor een recht van 0 % werd vastgesteld.

Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).
De definitieve verordening werd voorafgegaan door Verordening (EG) nr. 708/2003 van de Commissie van 23 april 2003 tot instelling van een voorlopig compenserend recht op micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, uit de Republiek Korea (4) (hierna „de voorlopige verordening” genoemd).

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.

Le Conseil a arrêté ce jour , les délégations française et néerlandaise votant contre, un règlement instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits "DRAM" (dynamic random access memories mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (doc. 11806/03).
De Raad heeft heden , met stemmen tegen van de Franse en de Nederlandse delegatie, een verordening aangenomen tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd (dynamic random access memories), uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 11806/03).

Le 22 mai 2001, l'Allemagne a fait part, conformément à l'encadrement multisectoriel des aides à finalité régionale en faveur de grands projets d'investissement ("encadrement multisectoriel"), de son intention d'octroyer une aide à Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG en vue de la construction d'une installation de production de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire).
Op 22 mei 2001 heeft Duitsland zijn voornemen medegedeeld om in het kader van de multisectorale kaderregeling betreffende regionale steun voor grote investeringsprojecten (hierna: "de multisectorale kaderregeling") steun toe te kennen aan Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG voor het bouwen van een nieuwe fabriek voor de productie van DRAM's.

Contexte En septembre 1992, la Commission a institué un droit antidumping provisoire de 10,1 % sur toutes les importations dans la Communauté de DRAM (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la république de Corée(1).
Achtergrond In september 1992 stelde de Commissie een voorlopig anti-dumpingrecht van 10,1 % in op de invoer in de Gemeenschap van DRAM's (dynamic random access memories) van oorsprong uit de Republiek Korea(1).

Antidumping : Importations de "DRAM" du Japon et de la République de Corée Le Conseil a prorogé, pour une période d'un an, la suspension des droits antidumping définitifs sur les importations de certains types de microcircuits électroniques, dits "DRAM" (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire), originaires du Japon et de la République de Corée, institués respectivement par les règlements (CEE) nu 2112/90 et nu 611/93.
Anti-dumping : Invoer van DRAM's uit Japan en de Republiek Korea De Raad heeft de opschorting van de definitieve anti-dumpingrechten op de invoer van bepaalde soorten elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's (dynamic random access memories), van oorsprong uit Japan en de Republiek Korea, die respectievelijk door de Verordeningen (EEG) nr. 2122/90 en nr. 611/93 zijn ingesteld, met een periode van één jaar verlengd.