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MESFET
TEC à grille isolée
TEC à jonction
Transistor MESFET
Transistor à effet de champ métal semi-conducteur
Transistor à effet de champ à barrière de Schottsky
Transistor à effet de champ à grille isolée
Transistor à effet de champ à jonction
Transistor à effet de champ à jonction de grille
Transistor à effet de champ à porte isolée
Transistor à jonction à effet de champ

Traduction de «Transistor à effet de champ à barrière de Schottsky » (Français → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
transistor à effet de champ à barrière de Schottsky | transistor à effet de champ métal semi-conducteur | transistor MESFET | MESFET [Abbr.]

metal-semiconductor-FET | schottky-barrier-FET | MESFET [Abbr.]


TEC à jonction | transistor à effet de champ à jonction | transistor à effet de champ à jonction de grille | transistor à jonction à effet de champ

junctie veldeffecttransistor | veldeffecttransistor met junctiestuurelektrode


TEC à grille isolée | transistor à effet de champ à grille isolée | transistor à effet de champ à porte isolée

veldeffecttransistor met geïsoleerde gate | veldeffecttransistor met geïsoleerde stuurelektrode | IGFET [Abbr.]
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
L'alternateur du demandeur offre un rendement accru, comparé à celui de l'alternateur de base, car il réduit les trois pertes suivantes: rectification des pertes en optimalisant la rectification grâce au module MOSFET, à savoir en utilisant un transistor à effet de champ à oxydes métalliques; les pertes du stator en fer en utilisant un fin noyau stratifié composé d'acier magnétique, et les pertes du stator en cuivre en utilisant un «segment conducteur» avec un facteur spatial plus élevé et une tête de bobine plus courte.

Het rendement van de alternator van de aanvrager is groter dan dat van de basisalternator doordat de volgende drie verliezen worden beperkt: rectificatieverliezen, door het optimaliseren van de rectificatie via het gebruik van een „MOSFET-module”, d.w.z. een metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor); ijzerverliezen in de stator, door het gebruik van een dunne gelamineerde kern van magnetisch staal, en koperverliezen in de stator, door het gebruik van een „segment conductor” die een grotere factor ruimte en een korter spoeluiteinde heeft.


et de transistors discrets à effet de champ à structure métal-oxyde (MOSFET) pour le contrôle de moteurs à courant continu dans les automobiles,

al dan niet met discrete metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistoren (MOSFET) voor het besturen van gelijkstroommotoren in auto's


Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) (1 édition)

Halfgeleiderelementen - Mobiele ionbeproeving voor transistor met veldeffect, vervaardigd volgens de MOS-techniek (1e uitgave)


Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champtal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) (1 édition)

Afwijkende temperatuur test voor metaal-oxide,halfgeleider, veldeffecttransistors (MOSFET) (1e uitgave)




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Transistor à effet de champ à barrière de Schottsky ->

Date index: 2021-09-23
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