Vertaling van "jonction métal semi-conducteur " (Frans → Nederlands) :

TERMINOLOGIE

jonction métal semi-conducteur
metaal-halfgeleiderjunctie | metaal-halfgeleiderovergang

transistor à effet de champ à barrière de Schottsky | transistor à effet de champ métal semi-conducteur | transistor MESFET | MESFET [Abbr.]
metal-semiconductor-FET | schottky-barrier-FET | MESFET [Abbr.]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire
met één CCD-sensor (Charge-Coupled Device) of een CMOS-sensor (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),

[12] La technologie métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) est la technologie standard pour les circuits intégrés de la piste «more Moore».
[12] CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) is de standaardtechnologie voor geïntegreerde schakelingen bij het "meer Moore"-spoor.

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de la République de Corée.
De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).
Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.