Vertaling van "transistor " (Frans → Nederlands) :

TERMINOLOGIE

transistor à jonction alliée | transistor allié | transistor fabriqué par alliage
legeringsjunctietransistor | legeringstransistor

logique à transistors multi-émetteurs et couplage à transistors | logique transistor-transistor
transistor-transistorlogica

TEC à jonction | transistor à effet de champ à jonction | transistor à effet de champ à jonction de grille | transistor à jonction à effet de champ
junctie veldeffecttransistor | veldeffecttransistor met junctiestuurelektrode

composant électronique [ circuit intégré | composant de mémoire | microprocesseur | puce électronique | semi-conducteur | transistor | tube électronique ]
elektronisch onderdeel [ chip | elektronenbuis | geheugencomponent | geïntegreerd circuit | halfgeleider | microprocessor | transistor ]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux (sauf génératrices photovoltaïques); diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés, et leurs parties
Dioden, transistors en dergelijke halfgeleiderelementen; lichtgevoelige halfgeleiderelementen, daaronder begrepen fotovoltaïsche cellen, ook indien samengevoegd tot modules of tot panelen (uitgezonderd fotovoltaïsche generatoren); luminescentiedioden; gemonteerde piëzo-elektrische kristallen, en de onderdelen daarvan

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.
[16] De opmerking uit 1965 van Gordon Moore, mede-oprichter van Intel, over het tempo waarin de dichtheid van transistoren in geïntegreerde circuits toenam.

Dispositifs à semi-conducteurs - Essai de porteur chaud sur les transistors MOS (1 édition)
Halfgeleiderelementen - Warmte overbrengingsbeproeving op MOS transistoren (1e uitgave)

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) (1 édition)
Halfgeleiderelementen - Mobiele ionbeproeving voor transistor met veldeffect, vervaardigd volgens de MOS-techniek (1e uitgave)

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).
Verwacht wordt dat het aantal transistoren dat op een geïntegreerd circuit kan worden geplaatst exponentieel zal groeien met ongeveer een verdubbeling per twee jaar (de zogenaamde "wet van Moore").

Spécification particulière cadre : Phototransistors, transistors photodarlington, réseaux de phototransistors (1 édition)
Raamspecificatie : Fototransistors, fotodarlington transistors, fototransistornetten (1e uitgave)

Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) (1 édition)
Afwijkende temperatuur test voor metaal-oxide,halfgeleider, veldeffecttransistors (MOSFET) (1e uitgave)

b. dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux;
b. halfgeleiderelementen met een heterostructuur, zoals transistors met hoge elektronenmobiliteit (HEMT), hetero bipolaire transistors (HBT), elementen met een quantumval of superrooster;

Cette année, les prix Descartes ont récompensé des travaux sur le développement de nouvelles méthodes étudiant les réactions chimiques cinétiques à très faible température, des recherches sur la synthèse et l'application d'une nouvelle famille de transistors polymériques conçus pour les circuits électroniques et la découverte du lien entre les processus qui réparent le matériel génétique et les moyens de transformer le matériel génétique en protéines.
Dit jaar zijn de Descartesprijzen verleend voor onderzoek inzake de ontwikkeling van nieuwe methoden voor de bestudering van de chemische reactiekinetiek bij zeer lage temperaturen, het synthetiseren en toepassen van een nieuwe categorie uit zelforiënterende polymeren opgebouwde transistors voor elektronische circuits, alsook voor de ontdekking van het verband tussen de processen waardoor genetisch materiaal wordt hersteld en de wijze waarop genetisch materiaal codeert voor eiwitten.