Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.
Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).