Vertaling van "Connection random access memory " (Nederlands → Duits) :

TERMINOLOGIE

connection random access memory | CRAM [Abbr.]
Verbindungs-RAM

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.
Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.

Bij Verordening (EG) nr. 1480/2003 (3) (hierna „de definitieve verordening” genoemd) heeft de Raad een definitief compenserend recht van 34,8 % ingesteld op bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories) uit de Republiek Korea, vervaardigd door andere ondernemingen dan Samsung Electronics Co. Ltd (hierna „Samsung” genoemd), waarvoor een recht van 0 % werd vastgesteld.
Mit der Verordnung (EG) Nr. 1480/2003 (3) (nachstehend „endgültige Verordnung“ genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt wurde, einen endgültigen Ausgleichszoll in Höhe von 34,8 % ein.

De Raad heeft heden , met stemmen tegen van de Franse en de Nederlandse delegatie, een verordening aangenomen tot instelling van een definitief compenserend recht op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd (dynamic random access memories), uit de Republiek Korea en tot definitieve inning van het voorlopige compenserende recht (doc. 11806/03).
Der Rat hat heute eine Verordnung zur Einführung eines endgültigen Ausgleichszolls und zur endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea (Dok. 11806/03) angenommen; die französische und die niederländische Delegation hatten gegen die Annahme gestimmt.

Het project omvat de bouw van productiefaciliteiten voor DRAM's (Dynamic Random Access Memory) met een lijnbreedte van 0,14 µm of minder op basis van wafers van 300 mm.
Das Vorhaben betrifft die Errichtung von Anlagen für die Herstellung von dynamischen Halbleiterspeichern (Dynamic Random Access Memory - DRAM) mit Strukturbreiten von höchstens 0,14 µm auf 300-mm-Wafern.

- Staatssteun nr. N 138/94 - Micro-electronica - SIEMENS AG - Saksen - Duitsland (Dresden) - Goedkeuring De Commissie heeft besloten krachtens artikel 92, lid 3, onder c), van het EG-Verdrag haar goedkeuring te hechten aan een eenmalige subsidie die de deelstaat Saksen voornemens is te verlenen aan SIEMENS AG. De steun zal 450 miljoen DM (231 miljoen ECU) bedragen en worden uitgekeerd in vijf jaarlijkse termijnen in de periode 1995-1999 ten behoeve van de bouw van een nieuwe fabriek voor OO inzake en produktie van Dynamic Random Access Memories ("DRAMs") in Dresden.
- Staatliche Beihilfe N 138/94 - Sektor Mikroelektronik-Siemens AG - Deutschland (Dresden) - Genehmigung Die Kommission hat in Anwendung von Artikel 92 Absatz 3 c) EGV eine im Zeitraum 1995/1999 in fünf Jahresraten auszahlbare Beihilfe in Höhe von 450 Mio. DM des Freistaats Sachsen an die Siemens AG für die Errichtung einer neuen Produktionsstätte mit FuE-Einrichtungen für dynamische Speicherchips ("DRAMs") genehmigt.

Achtergrond In september 1992 stelde de Commissie een voorlopig anti-dumpingrecht van 10,1 % in op de invoer in de Gemeenschap van DRAM's (dynamic random access memories) van oorsprong uit de Republiek Korea(1).
Vorgeschichte Im September 1992 führte die Kommission einen vorläufigen Antidumpingzoll von 10,1 % auf sämtliche Importe von DRAMs (dynamische Schreib- Lesespeicher) mit Ursprung in der Republik Korea1) in die Gemeinschaft ein.

De Raad heeft Verordening (EEG) nr. 611/93 ingetrokken tot instelling van een definitief antidumpingrecht op de invoer van bepaalde elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's ("dynamic random access memories"), van oorsprong uit Korea, en heeft de procedure voor die invoer beëindigd, omdat de betrokken bedrijfstak uit de Gemeenschap zijn steun voor de voortzetting van de antidumpingmaatregelen heeft ingetrokken.
Der Rat hat die Verordnung (EWG) Nr. 611/93 zur Einführung eines endgültigen Antidumpingzolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter "DRAMs" ("dynamic random access memories" = dynamische Schreib-Lesespeicher) mit Ursprung in Korea, aufgehoben und beschlossen, daß das betreffende Verfahren eingestellt wird, zumal der betroffene Wirtschaftszweig der Gemeinschaft mitgeteilt hatte, daß er die Aufrechterhaltung der geltenden Antidumpingmaßnahmen nicht länger unterstütze.

Anti-dumping : Invoer van DRAM's uit Japan en de Republiek Korea De Raad heeft de opschorting van de definitieve anti-dumpingrechten op de invoer van bepaalde soorten elektronische microschakelingen, bekend als DRAM's (dynamic random access memories), van oorsprong uit Japan en de Republiek Korea, die respectievelijk door de Verordeningen (EEG) nr. 2122/90 en nr. 611/93 zijn ingesteld, met een periode van één jaar verlengd.
Antidumping: Einfuhren von "DRAMs" aus Japan und der Republik Korea Der Rat hat die Aussetzung der mit den Verordnungen (EWG) Nr. 2112/90 bzw. Nr. 611/93 eingeführten endgültigen Antidumpingzölle auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher), mit Ursprung in Japan bzw. der Republik Korea um ein Jahr verlängert.