Traduction de «monolithische geïntegreerde » (Néerlandais → Allemand) :

TERMINOLOGIE

monolithische geïntegreerde schakeling | monolitisch geïntegreerde schakeling | monolitische schakeling
monolithisch integrierte Schaltung | monolithischer integrierter Schaltkreis

silicium monolithische geïntegreerde schakeling
monolithische integrierte Schaltung aus Silizium

meerfasen monolithische geïntegreerde schakeling
mehrphasige monolithische integrierte Schaltung

geïntegreerd ontwikkelingsprogramma [ geïntegreerde actiezone ]
integriertes Entwicklungsprogramm [ Gebiet für integrierte Aktionen | integrierte Aktion ]

firmware | geïntegreerde systemen | geïntegreerd systeem | softwarearchitectuur voor geïntegreerde systemen
eingebettetes System | eingebundene Rechner | eingebettete Systeme | integrierte Systeme

TARIC [ geïntegreerd douanetarief van de Europese Gemeenschappen | geïntegreerd tarief van de Europese Gemeenschappen | geïntegreerd tarief van de Europese Unie ]
TARIC [ Integrierter Tarif der EU | integrierter Tarif der Europäischen Gemeinschaften | Integrierter Tarif der Europäischen Union | Integrierter Zolltarif der Europäischen Gemeinschaften ]

geïntegreerde ontwikkeling
integrierte Entwicklung

IDE-software | set softwareontwikkelingshulpmiddelen voor het schrijven van programma’s | geïntegreerde ontwikkelomgeving | software voor geïntegreerde ontwikkelomgevingen
Software der integrierten Entwicklungsumgebung | Software für die integrierte Entwicklungsumgebung | IDE-Software | Software für integrierte Entwicklungsumgebungen

chip-ontwerper | ontwerpster analoge chips | ontwerpingenieur geïntegreerde schakelingen | ontwerpster geïntegreerde circuits
Mikrochip-Entwickler | Spezialist für integrierte Schaltungen | IC-Designer/IC-Designerin | Spezialistin für integrierte Schaltungen

geïntegreerde politiedienst, gestructureerd op twee niveaus
auf zwei Ebenen strukturierter integrierter Polizeidienst

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

8542 31 t/m 8542 33 en 8542 39 | Monolithische geïntegreerde schakelingen | Vervaardiging uit materialen van een willekeurige post, met uitzondering van die van het product of de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan de partijen. | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet hoger is dan 45 % van de prijs af fabriek van het product. |
8542 31 bis 8542 33 und 8542 39 | Monolithische integrierte Schaltungen | Herstellen aus Vormaterialien jeder Position, ausgenommen aus Vormaterialien derselben Position wie das Erzeugnis oder das Verfahren der Diffusion (bei dem durch selektives Aufbringen eines geeigneten Dotierungsstoffes auf ein Halbleitersubstrat integrierte Schaltungen gebildet werden), auch wenn der Zusammenbau und/oder das Testen in einer Nichtvertragspartei stattfinden | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 45 v. H. des Ab-Werk-Preises des Erzeugnisses nicht überschreitet |

– monolithische geïntegreerde schakelingen | Vervaardiging waarbij: de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product, enbinnen de hierboven gestelde beperking, de waarde van alle gebruikte materialen van posts 8541 and 8542 niet meer bedraagt 10 % van de prijs af fabriek van het productof de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan die genoemd in de artikelen 3 en 4 | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 25 % van de prijs af fabriek van het product |
– monolithische integrierte Schaltungen | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 40 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet undinnerhalb der obenstehenden Begrenzung der Wert aller verwendeten Vormaterialien der Positionen 8541 und 8542 10 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet,oder das Verfahren der Diffusion, bei dem durch selektives Aufbringen eines geeigneten Dotierungsstoffes auf ein Halbleitersubstrat integrierte Schaltungen gebildet werden, auch wenn der Zusammenbau und/oder das Testen in einem in den Artikeln 3 und 4 nicht genannten Land oder Gebiet stattfinden | Herstellen, bei dem der Wert aller verwendeten Vormaterialien 25 v. H. des Ab-Werk-Preises der Ware nicht überschreitet |

"Microcomputermicroschakeling" (3): een "monolithische geïntegreerde schakeling" of "multichip geïntegreerde schakeling" met een logische rekeneenheid (ALU), die in staat is om vanuit een intern geheugen algemene opdrachten uit te voeren op basis van gegevens opgeslagen in het interne geheugen.Noot:
"Kombinierter Schwenkrundtisch" (2) (compound rotary table): ein Tisch, mit dem ein Werkstück in zwei nicht parallelen Achsen gedreht und geschwenkt werden kann, wobei die Achsen simultan durch eine "Bahnsteuerung" koordiniert werden können.

"Microcomputermicroschakeling" (3): een "monolithische geïntegreerde schakeling" of "multichip geïntegreerde schakeling" met een logische rekeneenheid (ALU), die in staat is om vanuit een intern geheugen algemene opdrachten uit te voeren op basis van gegevens opgeslagen in het interne geheugen.
"Kombinierter Schwenkrundtisch" (2) (compound rotary table): ein Tisch, mit dem ein Werkstück in zwei nicht parallelen Achsen gedreht und geschwenkt werden kann, wobei die Achsen simultan durch eine "Bahnsteuerung" koordiniert werden können.

b) hybride geïntegreerde schakelingen, waarin passieve elementen (weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.), verkregen volgens de dun-of dikfilmtechniek, en actieve elementen (dioden, transistors, monolithische geïntegreerde schakelingen, enz.), verkregen volgens de halfgeleidertechniek, praktisch onverbrekelijk zijn opgenomen op eenzelfde isolerende onderlaag (van glas, van keramisch materiaal, enz.).
b) hybride integrierte Schaltungen, bei denen passive Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen usw.), die in der Dünnschicht-oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind, und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch untrennbare Weise auf dem gleichen isolierenden Träger (z.B. Glas oder Keramik) vereinigt sind.