Traduction de «rf voorspanning voor substraat » (Néerlandais → Allemand) :

TERMINOLOGIE

RF voorspanning voor substraat
RF Vorspannung für Substrat

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

- zijn bedrijfsonderdeel signaalversterkers (RF Power) te verkopen, met inbegrip van alle sleutelactiva en sleutelmedewerkers, maar met uitzondering van activa die noodzakelijk zijn voor de zogeheten "front-end"-productie van deze producten, nl. het bedrukken van het substraat van siliciumwafers met de circuits die precies nodig zijn om halfgeleiders te laten functioneren;
– Verkauf seiner Hochfrequenztransistoren-Sparte einschließlich der wesentlichen Vermögenswerte und Mitarbeiter, mit Ausnahme der sogenannten Front-End-Fertigung (Ausstattung der Siliziumscheiben (Wafer) mit Schaltungen für Halbleiter);

5. «ion-plating» is een speciale aanpassing van een algemeen TE-PVD-procédé waarbij een plasma of een ionenbron wordt gebruikt voor het ioniseren van de af te zetten stoffen, en waarbij een negatieve voorspanning wordt aangelegd op het substraat teneinde de stoffen gemakkelijker aan het plasma te kunnen onttrekken.
5. Ionenplattieren ist eine spezielle Variante eines allgemeinen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des Beschichtungsmaterials verwendet und an das Substrat eine negative Vorspannung angelegt wird, um die Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus dem Plasma zu fördern.

Het aanbrengen van deklagen door middel van een niet beheerste vlamboog zonder een voorspanning op het substraat is niet mede begrepen in deze definitie.
Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung.

5". ion-plating" is een speciale aanpassing van een algemeen TE-PVD-procédé waarbij een plasma of een ionenbron wordt gebruikt voor het ioniseren van de af te zetten stoffen, en waarbij een negatieve voorspanning wordt aangelegd op het substraat teneinde de stoffen gemakkelijker aan het plasma te kunnen onttrekken.
5. Ionenplattieren ist eine spezielle Variante eines allgemeinen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des Beschichtungsmaterials verwendet und an das Substrat eine negative Vorspannung angelegt wird, um die Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus dem Plasma zu fördern.