Vertaling van "RF voorspanning voor substraat " (Nederlands → Engels) :

TERMINOLOGIE

RF voorspanning voor substraat
substrate RF bias voltage

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

- zijn bedrijfsonderdeel signaalversterkers (RF Power) te verkopen, met inbegrip van alle sleutelactiva en sleutelmedewerkers, maar met uitzondering van activa die noodzakelijk zijn voor de zogeheten "front-end"-productie van deze producten, nl. het bedrukken van het substraat van siliciumwafers met de circuits die precies nodig zijn om halfgeleiders te laten functioneren;
- to sell its RF power business, comprising all key assets and personnel, except assets necessary for the so-called “front-end” manufacturing of these products, that is imprinting substrate silicon wafers with the precise circuitry required for semiconductors to function;

5. «ion-plating» is een speciale aanpassing van een algemeen TE-PVD-procédé waarbij een plasma of een ionenbron wordt gebruikt voor het ioniseren van de af te zetten stoffen, en waarbij een negatieve voorspanning wordt aangelegd op het substraat teneinde de stoffen gemakkelijker aan het plasma te kunnen onttrekken.
5. Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.

Het aanbrengen van deklagen door middel van een niet beheerste vlamboog zonder een voorspanning op het substraat is niet mede begrepen in deze definitie.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.

5". ion-plating" is een speciale aanpassing van een algemeen TE-PVD-procédé waarbij een plasma of een ionenbron wordt gebruikt voor het ioniseren van de af te zetten stoffen, en waarbij een negatieve voorspanning wordt aangelegd op het substraat teneinde de stoffen gemakkelijker aan het plasma te kunnen onttrekken.
5. Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.