Een EPROM (elektrisch programmeerbaar read only geheugen) is een niet-vluchtig geheugen in de vorm van een halfgeleiderelement, dat elektrisch programmeerbaar is, maar gewist moet worden met ultraviolet licht. Een flash-geheugen is een niet-vluchtig geheugen in de vorm van een halfgeleiderelement dat zowel elektrisch geprogrammeerd als elektrisch gewist kan worden, waardoor het wissen sneller gaat dan bij een EPROM. Zoals boven vermeld worden de produkten van de joint venture geproduceerd met behulp van een nieuwe generatie produkttechnologie, de 0,5 micron (of minder) -technologie.
Celles-ci sont alors montées pour former des dispositifs prêts à l'emploi qui sont incorporés dans des appareils électroniques ou des cartes-mémoires. Une EPROM est une mémoire rémanente à semi-conducteurs programmable électriquement et effaçable par UV. La mémoire flash, quant à elle, est une mémoire rémanente à semi-conducteurs qui est à la fois programmable électriquement et effaçable électriquement, ce qui permet un effacement plus rapide qu'avec une mémoire EPROM. Ainsi qu'il est indiqué ci-dessus, les produits de la coentreprise seront fabriqués à l'aide d'une nouvelle technologie, la technologie "0,5 micron (ou moins)".
