Vertaling van "niet-vluchtig ram-geheugen " (Nederlands → Frans) :

TERMINOLOGIE

niet-vluchtig RAM-geheugen
mémoire NOVRAM

niet-vluchtig geheugen | nonvolatile geheugen
mémoire non volatile | mémoire rémanente

niet-vluchtig geheugen | permanent geheugen
mémoire rémanente

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

3.6.6. Alle telfuncties worden alleen terug op 0 gezet bij een niet-vluchtige geheugenreset (bv. een herprogrammering) of, als de getallen in een „keep alive”-geheugen (KAM) worden opgeslagen, wanneer het KAM verloren gaat door een onderbreking van de stroomtoevoer naar de controlemodule (bv. afkoppeling van de batterij).
3.6.6. Chaque compteur est remis à zéro seulement en cas d’effacement de la mémoire rémanente (par exemple, incident de reprogrammation, etc.) ou, si les nombres sont enregistrés dans une mémoire volatile (KAM), lorsque la KAM est effacée à la suite d’une coupure de courant dans le module de commande (par exemple, déconnexion de la batterie, etc.).

8523 | Platen, banden, niet-vluchtige geheugens op basis van halfgeleiders, "intelligente kaarten" en andere dragers voor het opnemen van geluid of voor dergelijke doeleinden,waarop al dan niet is opgenomen, galvanische vormen en matrijzen voor het maken van platen daaronder begrepen, andere dan de goederen bedoeld bij hoofdstuk 37 | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet hoger is dan 50 % van de prijs af fabriek van het product. | |
8523 | Disques, bandes et autres dispositifs de stockage rémanent des données et autres supports pour l'enregistrement du son ou pour enregistrements analogues, enregistrés, y compris les matrices et moules galvaniques pour la fabrication des disques, mais à l'exclusion des produits du chapitre 37 | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 50 % du prix départ usine du produit | |

– niet-opgenomen grammofoonplaten, banden en niet-vluchtige geheugens op basis van halfgeleiders en andere dragers voor het opnemen van geluid en voor dergelijke doeleinden, galvanische vormen en matrijzen voor het maken van platen daaronder begrepen, andere dan de goederen van hoofdstuk 37; | Vervaardiging waarbij: de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product, enbinnen de hierboven gestelde beperking, de waarde van alle gebruikte materialen van post 8523 niet meer bedraagt 10 % van de prijs af fabriek van het product | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 30 % van de prijs af fabriek van het product |
– Disques, bandes et autres dispositifs de stockage rémanent des données et autres supports pour l’enregistrement du son ou pour enregistrements analogues, enregistrés, y compris les matrices et moules galvaniques pour la fabrication des disques, mais à l’exclusion des produits du chapitre 37 | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus,la valeur de toutes les matières du no8523 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produit | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 30 % du prix départ usine du produit |

8523 | – niet-opgenomen grammofoonplaten, banden en niet-vluchtige geheugens op basis van halfgeleiders en andere dragers voor het opnemen van geluid en voor dergelijke doeleinden, galvanische vormen en matrijzen voor het maken van platen daaronder begrepen, andere dan de goederen van hoofdstuk 37 | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product | |
8523 | – Disques, bandes et autres dispositifs de stockage rémanent des données et autres supports pour l’enregistrement du son ou pour enregistrements analogues, vierges, y compris les matrices et moules galvaniques pour la fabrication des disques, mais à l’exclusion des produits du chapitre 37 | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit | |

Externe geheugens zoals "disk drives", "tape drives" of RAM-disks vallen hier niet onder.
Des dispositifs mémoire périphériques, tels que les unités de disques, les dérouleurs de bande magnétique ou les disques RAM ne sont pas inclus.

Een EPROM (elektrisch programmeerbaar read only geheugen) is een niet-vluchtig geheugen in de vorm van een halfgeleiderelement, dat elektrisch programmeerbaar is, maar gewist moet worden met ultraviolet licht. Een flash-geheugen is een niet-vluchtig geheugen in de vorm van een halfgeleiderelement dat zowel elektrisch geprogrammeerd als elektrisch gewist kan worden, waardoor het wissen sneller gaat dan bij een EPROM. Zoals boven vermeld worden de produkten van de joint venture geproduceerd met behulp van een nieuwe generatie produkttechnologie, de 0,5 micron (of minder) -technologie.
Celles-ci sont alors montées pour former des dispositifs prêts à l'emploi qui sont incorporés dans des appareils électroniques ou des cartes-mémoires. Une EPROM est une mémoire rémanente à semi-conducteurs programmable électriquement et effaçable par UV. La mémoire flash, quant à elle, est une mémoire rémanente à semi-conducteurs qui est à la fois programmable électriquement et effaçable électriquement, ce qui permet un effacement plus rapide qu'avec une mémoire EPROM. Ainsi qu'il est indiqué ci-dessus, les produits de la coentreprise seront fabriqués à l'aide d'une nouvelle technologie, la technologie "0,5 micron (ou moins)".

De aangemelde concentratie bestaat uit een overeenkomst inzake de oprichting van een joint venture onder de naam Fujitsu AMD Semiconductor voor de produktie van "wafels" van bepaalde typen niet-vluchtige geheugens (NVM's), te weten EPROM's (elektrisch programmeerbare read only geheugens) en flash-geheugens met een geometrie van 0,5 micron en minder.
L'opération notifiée consiste en un accord portant sur la création d'une coentreprise, dénommée Fujitsu AMD Semiconductor, qui produira des plaquettes pour certains types de mémoires rémanentes, en l'occurence des EPROM (mémoires mortes programmables électriquement), et de mémoires flash avec des géométries de 0,5 micron au moins.