Vertaling van "Spreader attachment " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE

attachment fertilizer | end-gate spreader | spreader attachment
dispositif distributeur adaptable

end-gate spreader [ spreader attachment | attachment fertilizer ]
dispositif distributeur adaptable

end-gate | lime-spreader attachment
dispositif épandeur de chaux adaptable

straw chopper [ straw chopping attachment | straw chopper attachment | chopper-spreader ]
broyeur de pailles [ broyeur de paille | hacheur de paille | broyeur-éparpilleur ]

end-gate spreader | manure spreading attachment for trailer
dispositif épandeur adaptable sur remorque

backside attached heat spreader
dissipateur thermique fixé au verso

operating spreader | use spreader | operate spreader | operation of spreader
utiliser un épandeur

attached file | attached document | attachment | attachment file | e-mail attachment | mail attachment | attached piece
fichier joint | fichier annexé | pièce jointe | fichier attaché | attachement

attach clock faces | watch dials attaching | attach clock dials | attaching watch dials
fixer des cadrans de montres

attaching watch hands | clock and watch hand attaching | attach clock hands | clock hands attaching
fixer des aiguilles de montres

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm2 of projection area and a nominal current density of at least 1 A/mm2 of silicon chip area
Plomb dans les soudures servant à unir des dissipateurs de chaleur au radiateur dans les assemblages de semi-conducteur de puissance avec un circuit intégré d’au moins 1 cm2 d’aire de projection et une densité de courant nominal d’au moins 1 A/mm2 de la superficie du circuit intégré

8(h) Lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm of projection area and a nominal current density of at least 1 A/mm of silicon chip area
8 h) Plomb dans les soudures servant à unir des dissipateurs de chaleur au radiateur dans les assemblages de semi-conducteur de puissance avec un circuit intégré d’au moins 1 cm d’aire de projection et une densité de courant nominal d’au moins 1 A/mm de la superficie du circuit intégré