Traduction de «plasma etching » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE

plasma etching [ dry plasma etching | dry etching ]
gravure au plasma [ décapage au plasma ]

plasma etching
attaque par plasma

plasma etching and deposition
gravure et dépôt par plasma

plasma etch
marquage au plasma

handle chemicals for etching | use chemical agents for etching | handle etching chemical products | handle etching chemicals
manipuler des produits chimiques de gravure

analyse etched work | inspect work of etching | inspect etched work | inspect etchings
inspecter une gravure

polish tools used for etching | prepare workpieces to etch | prepare etching workpieces | prepare workpieces for etching
préparer des pièces à graver à l'eau-forte

flat etch | flat etching | bite first | etching first | pre-etching
morsure préliminaire | première morsure

inductively-coupled plasma-atomic emission spectroscopy [ inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy | inductively coupled plasma optical emission spectroscopy | inductively coupled plasma emission spectroscopy | inductively coupled argon plasma emission spectroscopy | inductively coupled argon plasma spect ]
spectroscopie d'émission avec plasma induit par haute fréquence [ SE/PIHF | spectroscopie d'émission de plasma induit par haute fréquence | spectroscopie d'émission avec plasma inductif HF | spectroscopie d'émission optique avec une source de plasma d'argon induit par haute fréquence ]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

(6) A change to machine-tools for working any material by removal of material by electro-chemical, electron beam, ionic-beam or plasma arc processes for dry-etching patterns on semiconductor materials of subheading 8486.20 from any other good of subheading 8486.20 or any other heading, except from heading 84.56 or more than one of the following:
(6) Un changement aux machines-outils travaillant par enlèvement de toute matière et opérant par procédés électrochimiques, par faisceaux d’électrons, par faisceaux ioniques ou par jet de plasma pour la gravure à sec du tracé sur les matières semi-conductrices de la sous-position 8486.20 de tout autre produit de la sous-position 8486.20 ou de toute autre position, sauf de la position 84.56 ou de plus d’un des éléments suivants :

c". Stored programme controlled" anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
c. équipements "à commande par programme enregistré" pour l'élimination par des méthodes sèches anisotropiques par plasma, comme suit: