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CVD
Chemical gas phase deposition
Chemical vapor deposition
Chemical vapour deposition
IV process
IVPO
Inside vapour deposition process
Inside vapour phase oxidation
Inside vapour phase oxidation process
MCVD
MCVD method
MCVD process
MIVPO
MOCVD
Metal organic chemical vapor deposition
Metal organic chemical vapour deposition
Metal-organic chemical vapor deposition
Metalorganic CVD
Modified CVD method
Modified chemical vapor deposition
Modified chemical vapor deposition process
Modified chemical vapour deposition
Modified chemical vapour deposition process
Modified inside vapor phase oxidation process
Modified inside vapour phase oxidation
Organometallic chemical vapour deposition
PACVD
PECVD
Plasma assisted chemical vapour deposition reactor
Plasma-activated CVD
Plasma-activated chemical vapor deposition
Plasma-assisted CVD
Plasma-assisted chemical vapor deposition
Plasma-enhanced CVD
Plasma-enhanced chemical vapor deposition
Plasma-enhanced chemical vapour deposition

Vertaling van "plasma-enhanced chemical vapour deposition " (Engels → Frans) :

TERMINOLOGIE
plasma-enhanced chemical vapour deposition | plasma-enhanced CVD | PECVD [Abbr.]

position par vapeur chimique utilisant le procédé plasma


plasma-enhanced chemical vapor deposition | PECVD | plasma-enhanced CVD | plasma-assisted chemical vapor deposition | plasma-assisted CVD | plasma-activated chemical vapor deposition | PACVD | plasma-activated CVD

dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma | dépôt en phase vapeur assisté par plasma | dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma | dépôt en phase vapeur activé par plasma


plasma assisted chemical vapour deposition reactor

réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma


plasma-enhanced chemical vapor deposition

dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma


modified chemical vapor deposition process | modified chemical vapour deposition process | MCVD process | modified CVD method | modified inside vapor phase oxidation process | MCVD method | modified chemical vapor deposition | MCVD | modified chemical vapour deposition | modified inside vapour phase oxidation | MIVPO

méthode modifiée de dépôt chimique en phase vapeur | procédé de dépôt intérieur modifié | méthode modifiée de déposition intérieure | procédé en phase vapeur modifié | procédé intérieur modifié | déposition en phase vapeur modifiée | méthode MCVD | procédé M. C. D. | méthode CVD modifiée


metal organic chemical vapor deposition [ MOCVD | metal-organic chemical vapor deposition | metal organic chemical vapour deposition | metalorganic CVD | organometallic chemical vapour deposition ]

dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques [ MOCVD | procédé MOCVD | traitement métallo-organique par dépôt chimique en phase vapeur | dépôt en phase vapeur à partir de composés organométalliques ]


inside vapour deposition process | inside vapour phase oxidation | inside vapour phase oxidation process | IV process | modified chemical vapour deposition process | IVPO [Abbr.]

dépôt en phase vapeur interne | oxydation en phase vapeur interne | procédé d'oxydation en phase vapeur interne


chemical vapor deposition | CVD | chemical vapour deposition | chemical gas phase deposition

dépôt chimique en phase vapeur | dépôt chimique en phase gazeuse | dépôt en phase vapeur


chemical vapor deposition [ CVD | chemical vapour deposition ]

dépôt chimique en phase vapeur
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
10. Fluorinated greenhouse gases placed on the market for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector shall be labelled with an indication that the contents of the container may only be used for that purpose.

10. Les gaz à effet de serre fluorés mis sur le marché pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs sont munis d’une étiquette indiquant que les substances présentes dans le conteneur peuvent uniquement être utilisées à cette fin.


hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.


the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a importée dans l’Union, en indiquant les principales catégories d’applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur ...[+++]r procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.


the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector.

les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a mises sur le marché dans l’Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’in ...[+++]


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the quantity of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has imported into the Union, identifying the main categories of application in which the substance is used, specifying separately quantities placed on the market for destruction, feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a importée dans l'Union, en indiquant les principales catégories d'applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur ...[+++]r procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;


the quantities of each substance listed in Annex I and, where applicable, Annex II it has placed on the market in the Union, specifying separately quantities placed on the market for feedstock uses, direct exports, producing metered dose inhalers for the delivery of pharmaceutical ingredients, use in military equipment and use in the etching of semiconductor material or the cleaning of chemical vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a mises sur le marché dans l'Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'in ...[+++]


hydrofluorocarbons supplied directly by a producer or an importer to an undertaking using it for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector;

aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;


10. Fluorinated greenhouse gases placed on the market for the etching of semiconductor material or the cleaning of chemicals vapour deposition chambers within the semiconductor manufacturing sector shall be labelled with an indication that the contents of the container may only be used for that purpose.

10. Les gaz à effet de serre fluorés mis sur le marché pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs sont munis d'une étiquette indiquant que les substances présentes dans le conteneur peuvent uniquement être utilisées à cette fin.


a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.

a. Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) est un procédé de revêtement par recouvrement ou revêtement par modification de surface par lequel un métal, un alliage, un matériau "composite", un diélectrique ou une céramique est déposé sur un substrat chauffé.


2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.

Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.


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