Vertaling van "Circuit intégré à transistors MOS " (Frans → Nederlands) :

TERMINOLOGIE

circuit intégré à transistors MOS | MOS complémentaire | CMOS [Abbr.]
complementaire metaal-oxide halfgeleider

circuit intégré à transistors MOS et bipolaires
hybride geïntegreerde schakeling met MOS-en bipolaire transistoren

circuit intégré à application spécifique | circuit intégré spécifique | circuit spécifique
ASIC | Toepassingsspecifieke geïntegreerde schakeling

circuit intégré sur mesure | circuit intégré à la demande
Maatwerk chip

circuit en échelle à transistors MOS
ladderschakeling van MOS transistoren

composant électronique [ circuit intégré | composant de mémoire | microprocesseur | puce électronique | semi-conducteur | transistor | tube électronique ]
elektronisch onderdeel [ chip | elektronenbuis | geheugencomponent | geïntegreerd circuit | halfgeleider | microprocessor | transistor ]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.
[16] De opmerking uit 1965 van Gordon Moore, mede-oprichter van Intel, over het tempo waarin de dichtheid van transistoren in geïntegreerde circuits toenam.

Spécification de famille : Circuits intégrés logiques HC MOS Séries HC/HCT/HCU (1 édition)
Familiespecificatie - HC MOS digitale geïntegreerde schakelingen - Reeksen HC/HCT/HCU (1e uitgave)

Spécification de famille - Circuits intégrés logiques AC MOS (1 édition)
Familiespecificatie - AC MOS digitale geïntegreerde schakelingen (1e uitgave)

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).
Verwacht wordt dat het aantal transistoren dat op een geïntegreerd circuit kan worden geplaatst exponentieel zal groeien met ongeveer een verdubbeling per twee jaar (de zogenaamde "wet van Moore").

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.
b) hybride geïntegreerde schakelingen, waarin passieve elementen (weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.), verkregen volgens de dun-of dikfilmtechniek, en actieve elementen (dioden, transistors, monolithische geïntegreerde schakelingen, enz.), verkregen volgens de halfgeleidertechniek, praktisch onverbrekelijk zijn opgenomen op eenzelfde isolerende onderlaag (van glas, van keramisch materiaal, enz.).

a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;
a) monolithische geïntegreerde schakelingen, waarvan de elementen (dioden, transistors, weerstanden, condensatoren, onderlinge verbindingen, enz.) in de massa (hoofdzakelijk) of op het oppervlak van een halfgeleidermateriaal (bijvoorbeeld gedoopt silicium) tot stand zijn gebracht en een onverbrekelijk geheel vormen;