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Caméra en semi-conducteurs
Caméra à semi-conducteurs
Circuit intégré
Composant de mémoire
Composant électronique
Microprocesseur
Opérateur de fabrication en microélectronique
Produire des cristaux pour semi-conducteurs
Puce électronique
Semi-conducteur
Semi-conducteur P
Semi-conducteur type P
Semiconducteur par défaut
Semiconducteur type P
Technologie des semi-conducteurs
Tester des semi-conducteurs
Transistor
Tube électronique

Traduction de «semi conducteur grâce » (Français → Néerlandais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
opérateur de fabrication en microélectronique | opératrice de machine de fabrication de semi-conducteurs | opérateur de machine de fabrication de semi-conducteurs | opérateur de machine de fabrication de semi-conducteurs/opératrice de machine de fabrication de semi-conducteurs

medewerkster voor de productie van elektronische componenten | operator fabricage micro-elektronica | operator nano-elektronica | technicus halfgeleiderindustrie


semi-conducteur P | semiconducteur par défaut | semiconducteur type P | semi-conducteur type P

halfgeleider P-type | halfgeleider van het P-type | p-type halfgeleider


caméra à semi-conducteurs | caméra en semi-conducteurs

halfgeleidercamera




composant électronique [ circuit intégré | composant de mémoire | microprocesseur | puce électronique | semi-conducteur | transistor | tube électronique ]

elektronisch onderdeel [ chip | elektronenbuis | geheugencomponent | geïntegreerd circuit | halfgeleider | microprocessor | transistor ]


protection juridique des topographies originales de produits semi-conducteurs

rechtsbescherming van topografieën van halfgeleiderprodukten


produire des cristaux pour semi-conducteurs

halfgeleiderkristallen produceren


technologie des semi-conducteurs

halfgeleidertechnologie


TRADUCTIONS EN CONTEXTE
l’opération de diffusion, dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’il soit ou non assemblé et/ou testé dans un pays tiers.

Diffusie, waarbij geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal, al dan niet geassembleerd en/of getest in een niet-partij


8542 31 à 8542 33 et 8542 39 | Circuits intégrés monolithiques | Fabrication à partir de matières de toute position, à l'exclusion des matières de la même position que le produit ou l'opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l'introduction sélective d'un dopant adéquat, qu'ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays autre | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 45 % du prix départ usine du produit |

8542 31 t/m 8542 33 en 8542 39 | Monolithische geïntegreerde schakelingen | Vervaardiging uit materialen van een willekeurige post, met uitzondering van die van het product of de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan de partijen. | Vervaardiging waarbij de waarde van alle gebruikte materialen niet hoger is dan 45 % van de prijs af fabriek van het product. |


– Circuits intégrés monolithiques | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soient ou non assemblés et/ou testés dans un pays ou territoire autre que ceux visés aux articl ...[+++]

– monolithische geïntegreerde schakelingen | Vervaardiging waarbij: de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product, enbinnen de hierboven gestelde beperking, de waarde van alle gebruikte materialen van posts 8541 and 8542 niet meer bedraagt 10 % van de prijs af fabriek van het productof de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan die genoemd in de artikelen 3 en 4 | Vervaardiging waarbij de waarde van alle g ...[+++]


– Cartes à déclenchement par effet de proximité et cartes à puce comportant deux circuits électroniques intégrés ou davantage | Fabrication dans laquelle: la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit, etdans la limite indiquée ci-dessus, la valeur de toutes les matières des nos8541 et 8542 utilisées ne doit pas excéder 10 % du prix départ usine du produitou Opération de diffusion dans laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi conducteur, grâce à l’introduction sélective d’un dopant adéquat, qu’ils soi ...[+++]

– naderingskaarten en "smart cards" met twee of meer elektronisch geïntegreerde schakelingen | Vervaardiging waarbij: de waarde van alle gebruikte materialen niet meer bedraagt dan 40 % van de prijs af fabriek van het product, enbinnen de hierboven gestelde beperking, de waarde van alle gebruikte materialen van posts 8541 and 8542 niet meer bedraagt 10 % van de prijs af fabriek van het productof de diffusie (waar geïntegreerde schakelingen worden gevormd op een halfgeleidersubstraat door de selectieve inbrenging van een geschikt doteringsmateriaal), al of niet geassembleerd en/of getest in een ander land dan die genoemd in de artikelen 3 ...[+++]


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Grâce à la législation en vigueur dans les territoires d'outre-mer qui sont liés au Royaume-Uni et aux Pays-Bas, ainsi qu'à la législation des Etats-Unis et du Canada (dont les créateurs de topographies sont couverts dans l'Union européenne en vertu de décisions du Conseil semblables à celles qui sont applicables aux territoires d'outre-mer), les topographies de produits semi-conducteurs de l'Union européenne bénéficient d'une protection dans toute une série de pays et de territoires tiers ainsi que dans l'Union européenne et dans l'EEE.

Dankzij de wetgeving in de overzeese gebieden die banden met het VK en Nederland hebben, en de wetgeving in de Verenigde Staten en Canada (de ontwerpers van topografieën uit laatstgenoemde landen zijn in de EU beschermd door beschikkingen van de Raad die vergelijkbaar zijn met die voor de overzeese gebieden), zijn de topografieën van de Europese halfgeleiderindustrie niet alleen in de EU en de rest van de EER, maar ook in een reeks derde landen en gebieden beschermd.


Dans ce but, trois thèmes de recherche ont été identifiés: ". technologies des logiciels", dont le but est de doter l'Union d'une forte capacité de production de logiciels (qui représentent l'essentiel du coût des systèmes informatiques), grâce à des recherches sur les nouvelles méthodes de programmation, la conception de systèmes "intelligents", etc.; ". technologies destinées aux composants et sous-systèmes TI", où la recherche sur les composants (semi-conducteurs, micro-systèmes intégrés, périphériques, écrans plats, etc.), doit p ...[+++]

Met dit doel voor ogen zijn drie grote onderzoekthema's omschreven: ". softwaretechnologie", waardoor de Unie moet kunnen beschikken over een sterke produktiecapaciteit voor programmatuur (die het grootste deel van de kosten van informatiesystemen uitmaakt), dank zij onderzoek naar nieuwe programmeringsmethoden, het ontwerp van "intelligente" systemen, enz.; ". technologie voor IT-componenten en -subsystemen", waarbij onderzoek naar componenten (halfgeleiders, geïntegreerde microsystemen, randapparatuur, platte schermen, enz.) de volgende veranderingsgolf in de computertechnologie moet helpen opvangen; ". multimediatechnologie", dat to ...[+++]


Toutefois, la Commission estime que ces accords sont conformes aux dispositions des articles 85 paragraphe 3 et 53 paragraphe 3 et qu'ils peuvent donc faire l'objet d'une exemption, du fait que leurs effets restrictifs sont compensés par : - la diffusion d'une nouvelle génération d'unités à semi-conducteurs qui contribueront à promouvoir le progrès technique et économique en rendant possible la production d'équipements électroniques de plus en plus petits, de plus en plus rapides et de plus en plus fiables, allant des ordinateurs aux téléphones portables et à l'audio-messagerie; - le profit qu'en retirera le consommateur, ...[+++]

De Commissie is echter van oordeel dat deze afspraken voldoen aan de voorwaarden van artikel 85, lid 3, EG en artikel 53, lid 3, EER en er een ontheffing voor kan worden verleend, omdat het concurrentiebeperkende effect ervan wordt gecompenseerd door : - de verbreiding van een nieuwe generatie halfgeleiderelementen, hetgeen leidt tot technische en economische vooruitgang die de produktie mogelijk maakt van steeds kleinere, snellere en meer betrouwbare elektronische systeemprodukten, uiteenlopend van computers tot draagbare telefoons en spraakcommunicatie; - het voordeel voor de consument in de vorm van innovatieve produkten tegen lagere ...[+++]


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